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提供了可在高功率电子器件中使用的可调势垒晶体管的各种方面。在一个例子中，除了别的以外，可调势垒晶体管还包括：无机半导电层；包括布置在无机半导电层上的纳米碳膜的源极电极；布置在纳米碳膜上的栅极介电层；以及布置在纳米碳膜的至少一部分之上的栅极介...
该专利属于佛罗里达大学研究基金会公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛罗里达大学研究基金会公司授权不得商用。

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