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本发明公开了具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法，其是采用脉冲激光沉积技术，在基片表面沉积上过渡金属硫族化合物的薄膜。通过本发明的方法制备的薄膜具有单层或少数原子层半导体材料的特性，这种材料在光照射下具有很好的光致发光特性，且...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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