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本发明公开了双向电压完全对称带有超深沟槽超低漏电的TVS器件及制法，其包括：步骤A：在重掺杂P型硅衬底生长一层轻掺杂N型外延层；步骤B：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入；步骤C：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P...
该专利属于上海长园维安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海长园维安微电子有限公司授权不得商用。

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