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本发明涉及一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法。采用偏向SiC籽晶，利用非对称粘结籽晶的方式控制其小面生长的机制，通过气氛导流板获得比标准直径可增大20mmSiC单晶材料。进行非对称性的滚圆工作，获得无小面...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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