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本发明提供了一种高电子迁移率发光晶体管的结构，结构包含：基板；高迁移率晶体管(简称HEMT)区设置于基板上；氮化镓发光二极管(GaN-LED，简称LED)区设置于该基板上；其中，HEMT区与LED区皆存在二维电子气层，且HEMT区通过二维电...
该专利属于黄智方所有，仅供学习研究参考，未经过黄智方授权不得商用。

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