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本发明公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属...
该专利属于陕西新光源科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西新光源科技有限责任公司授权不得商用。

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