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本实用新型涉及一种功率晶体管的结终端结构，包括：衬底；形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、复合场限环结构和截止环；以及分压保护结构；分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面；场氧化层、第一介质层和第二介质层形成于各掺杂区一侧的衬底...
该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。

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