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本实用新型涉及一种功率晶体管的结终端结构,包括:衬底;形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、复合场限环结构和截止环;以及分压保护结构;分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面;场氧化层、第一介质层和第二介质层形成于各掺杂区一侧的衬底...该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种功率晶体管的结终端结构,包括:衬底;形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、复合场限环结构和截止环;以及分压保护结构;分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面;场氧化层、第一介质层和第二介质层形成于各掺杂区一侧的衬底...