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本实用新型公开了一种高密度凸块结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片本体（101）、芯片电极（102）、芯片表面钝化层（103）和凸块结构（500），所述芯片表面钝化层（103）设置于芯片本体（101）的上表面并开设芯片表面钝化层开口（1...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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