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本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺。本发明包括装料抽真空，加氩气升压，加热使硅料熔化，晶体长晶，退火保温及冷却降温，装料阶段，首先在石英坩埚内底部铺上一层碎单晶或碎多晶；在熔化阶段以0.5～1cm/h的...
该专利属于青岛隆盛晶硅科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛隆盛晶硅科技有限公司授权不得商用。

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