下载一种具有异质埋层的RF LDMOS器件的技术资料

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本实用新型公开了一种具有异质埋层的RF LDMOS器件,本实用新型在传统的器件结构基础上,在高掺杂衬底和外延层之间加入异质埋层,该异质埋层与高掺杂衬底和外延层具有相反的掺杂类型,源端金属引线与高掺杂衬底之间通过导电沟槽相连接,导电沟槽穿过异...
该专利属于昆山华太电子技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过昆山华太电子技术有限公司授权不得商用。

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