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复合基板及功能元件制造技术
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文档序号:10817162
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在由氮化镓单晶构成的晶种(1)的培养面(1a)上规则地排列有锥状或截顶锥状的突起(2)。在晶种的培养面(1a)上通过助熔剂法直接形成有厚度为100μm以下的氮化镓晶体层(4)。...
该专利属于日本碍子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本碍子株式会社授权不得商用。
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