本发明专利技术涉及一种GaN基UV探测传感器，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面依次设置U-GaN层、AlGaN层和N型GaN层，在N型GaN层上表面分别设置欧姆电极和肖特基电极。所述欧姆电极为Ti/Al/Ti/Au金属层。所述肖特基电极的材质为金属Pt。所述欧姆电极与肖特基电极之间存在一定距离。所述衬底为蓝宝石衬底。本发明专利技术有效降低了传感器的漏电流，提高了传感器的响应度；并且生产工艺简单、需求设备少、成本低。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种GaN基UV探测传感器，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面依次设置U-GaN层、AlGaN层和N型GaN层，在N型GaN层上表面分别设置欧姆电极和肖特基电极。所述欧姆电极为Ti/Al/Ti/Au金属层。所述肖特基电极的材质为金属Pt。所述欧姆电极与肖特基电极之间存在一定距离。所述衬底为蓝宝石衬底。本专利技术有效降低了传感器的漏电流，提高了传感器的响应度；并且生产工艺简单、需求设备少、成本低。【专利说明】GaN基UV探测传感器
本专利技术涉及一种GaN基UV探测传感器，属于半导体
。
技术介绍
UV传感器可用于测量UV辐射，现有技术中的UV传感器大多采用硅基，主要存下以下缺陷:(I)传感器的漏电流较大；(2)传感器的响应度较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种GaN基UV探测传感器，提高了传感器的响应度。按照本专利技术提供的技术方案，所述GaN基UV探测传感器，包括衬底，其特征是:在所述衬底上表面依次设置U-GaN层、AlGaN层和N型GaN层，在N型GaN层上表面分别设置欧姆电极和肖特基电极。所述欧姆电极为Ti/Al/Ti/Au金属层。所述肖特基电极的材质为金属Pt。所述欧姆电极与肖特基电极之间存在一定距离。所述衬底为蓝宝石衬底。本专利技术有效降低了传感器的漏电流，提高了传感器的响应度；并且生产工艺简单、需求设备少、成本低。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的剖面图。【具体实施方式】下面结合具体附图对本专利技术作进一步说明。如图1所示:所述GaN基UV探测传感器包括衬底1、U-GaN层2、AlGaN层3、N型GaN层4、欧姆电极5、肖特基电极6等。如图1所示，本专利技术包括衬底1，衬底I为蓝宝石衬底；在所述衬底I上表面依次设置U-GaN层2、AlGaN层3和N型GaN层4，在N型GaN层4上表面分别设置欧姆电极5和肖特基电极6 ; 所述欧姆电极5为Ti/Al/Ti/Au金属层； 所述肖特基电极6的材质为金属Pt，金属Pt与N型GaN层4形成肖特基接触； 所述欧姆电极5与肖特基电极6之间存在一定距离。上述，采用以下步骤: 步骤1:利用MOCVD设备在蓝宝石衬底I上生长U-GaN层2 ； 步骤2:在U-GaN层2上生长AlGaN层3 ；步骤3:在AlGaN层3上生长N-GaN层4 ； 步骤4:利用光刻技术在N型GaN层4上制作欧姆电极5的图形，再利用电子束蒸发设备，制作Ti/Al/Ti/Au金属层； 步骤5:利用剥离方法将多余的金属层去除，并利用去胶剂将光刻胶去除，仅保留欧姆电极5 ； 步骤6:利用RTA合金炉进行高温合金，使欧姆电极5与N型GaN层形成良好的欧姆接触； 步骤7:利用光刻技术在N型GaN层4上制作肖特基电极6的图形，再利用电子束蒸发设备，制作Pt金属层； 步骤8:利用剥离方法将多余的金属Pt去除，并利用去胶剂将光刻胶去除，仅保留肖特基电极6 ; 步骤9:利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到10(T200um,再利用激光切割机将晶圆上的器件进行分离。本专利技术采用AlGaN层3中的Al组分，可以实现禁带宽度在3.4^6.2eV区间连续可控，实现对20(T365nm UV光的探测，利用Pt金属与N型GaN层形成良好的肖特基接触，有效降低传感器的漏电流，提高传感器的响应度；本专利技术通过欧姆电极5与肖特基电极6之间的一定间距，以及肖 特基电极6的面积，可以更进一步提高传感器的响应度；本专利技术的UV传感器在18mW/cnT2的辐射强度下，最高可以产生200mV的电信号，配合普通读取电路即可实现对UV光的探测，具有生产响应度高、工艺简单、需求设备少、成本低等特点。【权利要求】1.一种GaN基UV探测传感器，包括衬底(I)，其特征是:在所述衬底(I)上表面依次设置U-GaN层(2)、AlGaN层(3)和N型GaN层(4)，在N型GaN层(4)上表面分别设置欧姆电极(5)和肖特基电极(6)。2.如权利要求1所述的GaN基UV探测传感器，其特征是:所述欧姆电极(5)为Ti/Al/Ti/Au金属层。3.如权利要求1所述的GaN基UV探测传感器，其特征是:所述肖特基电极(6)的材质为金属Pt。4.如权利要求1所述的GaN基UV探测传感器，其特征是:所述欧姆电极(5)与肖特基电极(6)之间存在一定距离。5.如权利要求1所述的GaN基UV探测传感器，其特征是:所述衬底(I)为蓝宝石衬底。【文档编号】H01L31/0304GK103762264SQ201410007216【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月7日 优先权日:2014年1月7日 【专利技术者】黄慧诗, 郭文平, 柯志杰, 邓群雄, 闫晓密 申请人:江苏新广联科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧诗，郭文平，柯志杰，邓群雄，闫晓密，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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