高纯度高密度WS2层片状纳米结构的制备方法技术

技术编号:9965010 阅读:127 留言:0更新日期:2014-04-24 21:16
本发明专利技术涉及一种高纯度、高密度WS2层片状纳米结构的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明专利技术采用真空管式炉,以氧化钨和硫粉为蒸发源,通过热蒸发的方法,在载气保护下,在表面平整、光洁的硅片、砷化镓片、蓝宝石片、碳化硅单晶片或者氧化铝单晶片上,一步合成沉积得到WS2层片状纳米结构。该方法具有沉积条件严格可控、设备和工艺简单、产量大、成本低、环保等优点。所获得的纳米结构产物纯度高,直径厚度分布均匀,大小、厚度可控;这种纳米结构在光电池电极、润滑剂、催化剂以及纳米电子学等方面有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
高纯度高密度WS2层片状纳米结构的制备方法,其特征在于:所述纳米结构为层片状WS2单晶;所述方法通过热蒸发WO3粉和S粉在镀钨的基片上沉积WS2层片状纳米结构,包括以下步骤:(1)在真空管式炉中,将分别装有WO3粉和S粉的氧化铝陶瓷坩埚、或者装有WO3和S混合粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在炉中央的加热区域,在其气流下游距离装有WO3粉的坩埚10?30?mm处温度较低的区域放置表面镀有钨膜的基片;(2)在加热前,先对整个系统抽真空,然后向系统中通入高纯惰性载气,并重复多次,以排除系统中的空气;然后以10?35℃/min速率升温到最高加热温度,并保温数小时;在加热过程中,保持载气流量为50?300标准立方厘米每分钟,且整个加热过程在惰性载气保护下完成,最后自然降温到室温,即可在镀钨的基片上得到高纯度、高密度WS2层片状纳米结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钱静雯彭志坚符秀丽
申请(专利权)人:中国地质大学北京
类型:发明
国别省市:

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