高效率微波功率放大器脉冲调制器制造技术

技术编号:9957043 阅读:347 留言:0更新日期:2014-04-23 17:14
本发明专利技术公开了一种高效率微波功率放大器脉冲调制器,包括高压侧MOSFET驱动器[HVIC]、低压侧MOSFET驱动器[LVIC]、高压侧MOSFET[Q1],低压侧MOSFET[Q2]、二极管[Dboot]、电容[Cboot]、高压侧MOSFET驱动器[HVIC]和低压侧MOSFET驱动器[LVIC]供电端口VCC、输入脉冲信号TTL、高压侧MOSFET[HVIC]漏极加电信号VDD。该调制器可驱动高电压工作的GaN功放,脉冲前后沿较好,后沿无拖尾,效率高特别适用在GaN脉冲功率放大器中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型高效率微波功率放大器脉冲调制器,其特征在于:包括高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器、高压侧MOSFET、低压侧MOSFET、二极管、电容、供电端口VCC、输入脉冲信号TTL、漏极加电信号VDD;高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器的输出端分别连接高压侧MOSFET与低压侧MOSFET的栅极,输入脉冲信号TTL连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的输入端,供电接口VCC连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的VCC端,漏极加电信号VDD连接高压侧MOSFET的漏极,高压侧MOSFET源极与低压侧MOSFET漏极相连,高压侧MOSFET源极同时与负载连接,在供电接口VCC与高压侧MOSFET源极之间并联二极管及电容,在电容两端并联高压侧MOSFET驱动器的VB端及Vs端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:韩煦成海峰徐建华周昊
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1