单片机及其片内上电复位电路制造技术

一种单片机片内上电复位电路，其特征在于，包括电源输入端、复位控制端、用于产生快上电复位信号的快上电复位模块、用于产生慢上电复位信号的慢上电复位模块、用于根据所述快上电复位信号和所述慢上电复位信号生成一复位控制信号的信号处理模块，以及用于将所述复位控制信号进行延时处理以控制所述单片机延时复位的数字延时模块；?所述快上电复位模块的输入端与所述电源输入端连接，所述快上电复位模块的输出端与所述信号处理模块的第一输入端连接；所述慢上电复位模块的输入端与所述电源输入端连接，所述慢上电复位模块的输出端与所述信号处理模块的第二输入端连接；所述信号处理模块的输出端经由所述数字延时模块的输出端与所述复位控制端连接。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种单片机及其片内上电复位电路，其中单片机片内上电复位电路包括电源输入端、复位控制端、快上电复位模块、慢上电复位模块、信号处理模块和数字延时模块。本技术单片机片内上电复位电路，通过信号处理模块对快上电复位模块产生的快上电复位信号和慢上电复位模块产生的慢上电复位信号取或后，生成复位控制信号，并将该复位控制信号输出至数字延时模块进行延时处理，从而获得稳定正确的复位控制信号，避免单片机误复位而影响正常工作，提高单片机的工作稳定性和可靠性，而且，不需使用大电容就能达到复位功能，降低了单片机的设计成本和功耗，也使得在电源环境较恶劣的条件下能够更有效地避免单片机误复位。【专利说明】单片机及其片内上电复位电路
本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种单片机及其片内上电复位电路。
技术介绍
在单片机应用中，上电复位电路用于在电源通电或断电后再通电时，将数字系统中的计数器、寄存器等数字模块复位或置位的功能，故要求上电复位电路具有高的可靠性，不能出现误复位而导致单片机的数字系统不能正常工作的问题。目前的单片机上电复位片内方案中，有检测电源电压上升沿或电源电压值或既检测上升沿又检测电压值的方案，这些方案对于在电源环境较恶劣的条件下，如电源存在较大干扰的条件下，经常有向上向下尖峰出现或电源出现快速上电或缓慢上电等情况，常产生误复位信号，影响单片机及其数字系统的正常工作。现有的上电复位方案中通常采用的是模拟集成电路方案，如外置上电复位电路，为了实现上电复位功能，通常采用由大电容、大电阻以及三极管构成外置上电复位电路，或者单独的复位芯片，然而这增加了单片机的成本和功耗。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种单片机及其片内上电复位电路，旨在提高单片机的工作稳定性和可靠性，降低单片机的设计成本和功耗。为了达到上述目的，本技术提出一种单片机片内上电复位电路，该单片机片内上电复位电路包括电源输入端、复位控制端、用于产生快上电复位信号的快上电复位模块、用于产生慢上电复位信号的慢上电复位模块、用于根据所述快上电复位信号和所述慢上电复位信号生成一复位控制信号的信号处理模块，以及用于将所述复位控制信号进行延时处理以控制所述单片机延时复位的数字延时模块；所述快上电复位模块的输入端与所述电源输入端连接，所述快上电复位模块的输出端与所述信号处理模块的第一输入端连接；所述慢上电复位模块的输入端与所述电源输入端连接，所述慢上电复位模块的输出端与所述信号处理模块的第二输入端连接；所述信号处理模块的输出端经由所述数字延时模块的输出端与所述复位控制端连接。优选地，所述快上电复位模块包括延时单元、施密特触发器、第一反相器和第二反相器；所述延时单元的输入端与所述电源输入端连接，所述延时单元的输出端与施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器的输出端与所述第一反相器的输入端连接，所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端与所述信号处理模块的第一输入端连接。优选地，所述延时单元包括第一 MOS管和一电容； 所述第一 MOS管的源极与所述电源输入端连接，所述第一 MOS管的栅极接地，所述第一 MOS管的漏极与所述电容的正极连接，且与所述施密特触发器的输入端连接，所述电容的负极接地。优选地，所述施密特触发器包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管；所述第二 MOS管的源极与所述电源输入端连接，所述第二 MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，且分别与第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极连接；所述第二 MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极连接，且与所述第六MOS管的漏极连接；所述第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极连接，且分别与所述第六MOS管的栅极、所述第七MOS管的栅极和所述第一反相器的输入端连接；所述第四MOS管的源极与所述第五MOS管的漏极连接，且与所述第七MOS管的源极连接，所述第五MOS管的源极接地；所述第八MOS管的源极与所述第六MOS管的源极连接，所述第八MOS管的栅极与所述信号处理模块连接，所述第八MOS管的漏极接地；所述第九MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极连接，所述第九MOS管的栅极与所述信号处理模块连接，所述第九MOS管的源极与所述电源输入端连接。优选地，所述慢上电复位模块包括偏置电压产生单元、第三反相器和第四反相器；所述偏置电压产生单元的输入端与所述电源输入端连接，所述偏置电压产生单元的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第三反相器的输出端与所述第四反相器的输入端连接，所述第四反相器的输出端与所述信号处理模块的第二输入端连接。优选地，所述偏置电压产生单元包括一电阻和第十MOS管；所述电阻的一端与所述电源输入端连接，所述电阻的另一端与所述第十MOS管的漏极连接，且与所述第三反相器的输入端连接；所述第十MOS管的栅极与所述第十MOS管的漏极连接，所述第十MOS管的源极接地。优选地，所述第三反相器包括第十一 MOS管、第十二 MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管和第二十MOS 管；所述第十一 MOS管的源极与所述电源输入端连接，所述第十一 MOS管的栅极与所述电阻和所述第十MOS管的漏极的公共节点连接，且分别与所述第十二 MOS管的栅极、所述第十三MOS管的栅极、所述第十四MOS管的栅极、所述第十五MOS管的栅极、所述第十六MOS管的栅极、所述第十七MOS管的栅极、所述第十八MOS管的栅极、所述第十九MOS管的栅极和所述第二十MOS管的栅极连接，所述第十一 MOS管的漏极与所述第十二 MOS管的源极连接，所述第十二 MOS管的漏极与所述第十三MOS管的源极连接，所述第十三MOS管的漏极与所述第十四MOS管的漏极连接，且与所述信号处理模块的第二输入端连接；所述第十四MOS管的源极与所述第十五MOS管的漏极连接，所述第十五MOS管的源极与所述第十六MOS管的漏极连接，所述第十六MOS管的源极与所述第十七MOS管的漏极连接，所述第十七MOS管的源极与所述第十八MOS管的漏极连接，所述第十八MOS管的源极与所述第十九MOS管的漏极连接，所述第十九MOS管的源极与所述第二十MOS管的漏极连接，所述第二十MOS管的源极接地。优选地，所述信号处理模块包括一或门和第五反相器；所述或门的第一输入端与所述第二反相器的输出端连接，所述或门的第二输入端与所述第三反相器的输出端连接，所述或门的输出端与所述第五反相器的输入端连接，且与所述第八MOS管的栅极连接；所述第五反相器的输出端与所述数字延时模块的输入端连接，且与所述第九MOS管的栅极连接。优选地，所述数字延时模块包括第六反相器、计数器、寄存器、时钟发生器和触发器；所述第六反相器的输入端与所述第五反相器的输出端连接，所述第六反相器的输出端与所述计数器的输入端连接；所述计数器的配置端与所述寄存器连接，所述寄存器还经由所述时钟发生器与所述计数器的时钟端连接，所述计数器通过所述寄存器配置位数和溢出值，所述寄存器通过配置所述时钟发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片机片内上电复位电路，其特征在于，包括电源输入端、复位控制端、用于产生快上电复位信号的快上电复位模块、用于产生慢上电复位信号的慢上电复位模块、用于根据所述快上电复位信号和所述慢上电复位信号生成一复位控制信号的信号处理模块，以及用于将所述复位控制信号进行延时处理以控制所述单片机延时复位的数字延时模块；?所述快上电复位模块的输入端与所述电源输入端连接，所述快上电复位模块的输出端与所述信号处理模块的第一输入端连接；所述慢上电复位模块的输入端与所述电源输入端连接，所述慢上电复位模块的输出端与所述信号处理模块的第二输入端连接；所述信号处理模块的输出端经由所述数字延时模块的输出端与所述复位控制端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭迁宁，乔爱国，
申请(专利权)人：深圳市芯海科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：