【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低频压控移相电路，其特征在于，包括正交电桥电路，所述正交电桥电路的两个输入输出端分别串接去耦电容，所述两个去耦电容分别连接变容二极管的反向端，所述两个变容二极管的正向端分别接地，所述去耦电容和变容二极管之间引出抽头与隔离电阻一端连接，所述隔离电阻另一端连接外部相位控制电压；其中，所述正交电桥电路包括第一3dB正交电桥，所述第一3dB正交电桥由电感L和端接电容C1、C2构成，所述电感L由同轴线绕在磁芯上构成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵明洪，董晓辉，
申请(专利权)人：成都芯通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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