一种倒装LED芯片的焊接保护结构及倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种倒装LED芯片的焊接保护结构及含有该结构的倒装LED芯片。一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。在不同时有P型半导体层和N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，保护层从P型半导体层或N型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。芯片倒装焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有绝缘保护层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型半导体层和N型半导体层就不会短路或漏电了。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种倒装LED芯片的焊接保护结构及含有该结构的倒装LED芯片。一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。在不同时有P型半导体层和N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，保护层从P型半导体层或N型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。芯片倒装焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有绝缘保护层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型半导体层和N型半导体层就不会短路或漏电了。【专利说明】一种倒装LED芯片的焊接保护结构及倒装LED芯片
本技术属于光电
，具体是涉及一种倒装LED芯片的焊接保护结构及含有该结构的倒装LED芯片。
技术介绍
倒装LED芯片与正装LED芯片相比，倒装LED芯片具有较好的散热功能和发光效率，具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等优点，性能方面有较大的优势，具有良好的发展前景。在对倒装LED芯片进行倒装焊接时，例如锡膏、银浆等焊料可能会外溢爬上芯片。现有技术中仅在芯片底面对P型欧姆接触层和N型欧姆接触层进行钝化绝缘，避免焊接处即芯片底面的P型欧姆接触层和N型欧姆接触层之间发生短路，但没有考虑到焊料会外溢爬到更上层，故对芯片侧壁的更上层没有实施绝缘保护措施，而芯片上有的侧壁既有P型半导体层，又有N型半导体层，例如P型电极一侧的侧壁自芯片底面至芯片顶面依次为P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、N型半导体层和衬底，故当进行P电极的焊接时，如果焊料外溢爬上该侧的侧壁接触到N半导体层，就会导致P型与N型之间直接短路或漏电。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种倒装LED芯片的焊接保护结构，防止倒装LED芯片倒装焊接时P型和N型之间直接短路或漏电。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是:提供一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。进一步的，在不同时有P型半导体层和N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，保护层从P型半导体层或N型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。以上所述的焊接保护结构，其中，所述的第一侧壁和第二侧壁分别向内凹入一定厚度，该厚度与绝缘保护层厚度相同，使保护层的外侧与衬底侧面相平。所述绝缘保护层为AlN 层、SiO2 层、SixNy 层或 Al2O3 层。再进一步的，所述第一侧壁的绝缘保护层还覆盖P型欧姆接触层，第二侧壁的绝缘保护层还覆盖P型欧姆接触层。本技术还提供一种倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底；N型半导体层，设置在蓝宝石衬底的下侧，其下侧的沟槽内设有N型欧姆接触层，N型欧姆接触层的下侧设有N型电极；发光层，设置在N型半导体层的下侧；P型半导体层，设置在发光层的下侧，其上设有P型欧姆接触层，P型欧姆接触层的下侧设有P型电极；反射层，设置在芯片的底部；具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型欧姆接触层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触；在只有N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层覆盖N型半导体层，其顶部与衬底接触。 其中，所述半导体层为GaN层，绝缘保护层为AlN层。本技术技术方案有有益效果:芯片倒装焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有绝缘保护层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型半导体层和N型半导体层就不会短路或漏电了 ；绝缘保护层覆盖之前先蚀刻侧壁，覆盖操作较容易实现，且能够使外侧平齐于同侧的衬底，从而使芯片侧面整齐。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的倒装LED芯片的结构示意图。【具体实施方式】以下结合附图与具体实施例对本技术的技术方案做详细说明。参照图1所示，本实施例的倒装LED芯片包括蓝宝石衬底UN-GaN层2、发光层3、P-GaN层4、N型欧姆接触层5、N型电极6、P型欧姆接触层7、P型电极8和反射层9。将芯片具有N-GaN层、发光层、P-GaN层、P型欧姆接触层的一侧为第一侧壁10，第一侧壁设有绝缘保护层11，绝缘保护层从P型欧姆接触层的底面覆盖至N-GaN层顶部，与衬底接触；将芯片只有N-GaN层没有P-GaN层的另一侧为第二侧壁20，第二侧壁设有绝缘保护层21，绝缘保护层覆盖N-GaN层，其顶部与衬底接触，绝缘保护层为AlN层。在制作第一侧壁和第二侧壁的绝缘保护层(11，21 )，先向内蚀刻凹入一定厚度，该厚度与绝缘保护层厚度相同，使保护层的外侧与衬底侧面相平。以上实施例为本技术的优选实施例，本技术不限于上述实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不背离本技术技术原理的基础上所做的任何显而易见的改动，都属于本技术的构思和所附权利要求的保护范围。【权利要求】1.一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，其特征在于:在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的焊接保护结构，其特征在于:在不同时有P型半导体层和N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，保护层从P型半导体层或N型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片的焊接保护结构，其特征在于:所述的第一侧壁和第二侧壁分别向内凹入一定厚度，该厚度与绝缘保护层厚度相同，使保护层的外侧与衬底侧面相平。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片的焊接保护结构，其特征在于:所述第一侧壁的绝缘保护层还覆盖P型欧姆接触层，第二侧壁的绝缘保护层还覆盖P型欧姆接触层。5.根据权利要求1?4任一所述的倒装LED芯片的焊接保护结构，其特征在于:所述绝缘保护层为AlN层、SiO2层、SixNy层或Al2O3层。6.一种倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底；N型半导体层，设置在蓝宝石衬底的下侧，其下侧的沟槽内设有N型欧姆接触层，N型欧姆接触层的下侧设有N型电极；发光层，设置在N型半导体层的下侧；P型半导体层，设置在发光层的下侧，其上设有P型欧姆接触层，P型欧姆接触层的下侧设有P型电极；反射层，设置在芯片的底部； 其特征于:具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型欧姆接触层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触；在只有N型半导体层的第二侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层覆盖N型半导体层，其顶部与衬底接触。7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于:所述半导体层为GaN层，绝缘保护层为AlN层。【文档编号】H01L33/02GK203521451SQ201320550918【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月5日 优先权日:2013年9月5日 【专利技术者】唐小玲, 夏红艺, 罗路遥 申请人:深圳市智讯达光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片的焊接保护结构，芯片包括有N型半导体层和P型半导体层，其特征在于：在芯片具有N型半导体层和P型半导体层的第一侧壁设有绝缘保护层，绝缘保护层从P型半导体层的底面覆盖至N型半导体层顶部并与衬底接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐小玲，夏红艺，罗路遥，
申请(专利权)人：深圳市智讯达光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：