一种高压侧测量用电源电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高压侧测量用电源电路，由芯片U1、整流电桥D1、电容C2、电解电容C3、电解电容C4、二极管V3、互感线圈L1、电容C1、双向可控硅V1、双向触发二极管V2、和电阻R1组成。该电路对作为电源的瞬时电压加以限制，确保交流电压单峰值控制在45V以下，选用较宽电压输入的DC/DC器件LM2575HV，经过变换输出5V，再转换为相应的电源电压。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种高压侧测量用电源电路，由芯片U1、整流电桥D1、电容C2、电解电容C3、电解电容C4、二极管V3、互感线圈L1、电容C1、双向可控硅V1、双向触发二极管V2、和电阻R1组成。该电路对作为电源的瞬时电压加以限制，确保交流电压单峰值控制在45V以下，选用较宽电压输入的DC/DC器件LM2575HV，经过变换输出5V，再转换为相应的电源电压。【专利说明】—种高压侧测量用电源电路
本技术涉及一种高压侧测量用电源电路，属于应用可控硅的交流电流源转换为直流电压源的电路领域。
技术介绍
高压侧电量和非电量的测量需要辅助电源，目前主流供电方式有利用激光和太阳能供电、利用电流互感器从母线上获取电能两类。利用电流互感器从高压母线取能，是利用特制的安装方便的开口互感器从母线上感应电压，通过整流、滤波、稳压等后续电路处理后，提供给高压侧电子电路所必需的电源。利用电流互感器从高压母线取能，当母线电流处于空载的小电流状态时，供电不足；而当母线处于超过额定电流的大电流状态，甚至是短路故障电流时，供电电压过大。
技术实现思路
为了解决上述存在的问题，本技术公开了一种高压侧测量用电源电路，该设备是一种结构简单、安全可靠、使用方便、成本低廉的高压侧测量用电源电路，该电路对作为电源的瞬时电压加以限制，确保交流电压单峰值控制在45V以下，选用较宽电压输入的DC/DC器件LM2575HV，经过变换输出5V，再转换为相应的电源电压。一种高压侧测量用电源电路，由芯片U1、整流电桥D1、电容C2、电解电容C3、电解电容C4、二极管V3、互感线圈L1、电容Cl、双向可控硅V1、双向触发二极管V2、和电阻Rl组成，其特征在于:整流桥Dl管脚I连接双向可控硅Vl —端，整流桥Dl管脚3连接双向可控硅Vl另一端，电容Cl与电感分别并联在连接双向可控硅Vl两侧，双向触发二极管V2与电阻Rl串联后再与双向触发二极管并联，电源接芯片Ul的4管脚，Ul的5管脚接地，Ul的3管脚接地，Ul的2管脚接二极管V3，V3的另一端接地，Ul的I管脚接电容电解电容C3，电解电容C3的另一端接地，电容C2 —端接45V电压另一端接地，整流桥D2的2管脚和4管脚并联在C2的两端。作为本技术的一种改进，根据权利要求1或2所述的一种高压侧测量用电源电路，其特征在于:所述整流电桥Dl由4个二极管组成，所述的芯片Ul选LM2575HV-5.0，V3 选 1N5819, LI 选 470 y H，C2 选 0.1 y F/63V, C3 选 100 u F/63V, C4 选 220 u F/16V, Vl 选用BTA16，V2选用DB4，R1选510欧，Cl选2.2 y F/ 100V。采用这种设计以后，确保交流电压单峰值控制在45V以下，选用较宽电压输入的DC/DC器件LM2575HV，经过变换输出5V，再转换为相应的电源电压。该电路对作为电源的瞬时电压加以限制，确保交流电压单峰值控制在45V以下，选用较宽电压输入的DC/DC器件LM2575HV，经过变换输出5V，再转换为相应的电源电压。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的交流电压负反馈电路图，图2是本技术的DC/DC开关电源。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本技术。实施例1:结合附图可见，一种高压侧测量用电源电路，由芯片仍、整流电桥01、电容02、电解电容C3、电解电容C4、二极管V3、互感线圈L1、电容Cl、双向可控硅V1、双向触发二极管V2、和电阻Rl组成，其特征在于:整流桥Dl管脚I连接双向可控硅Vl —端，整流桥Dl管脚3连接双向可控硅Vl另一端，电容Cl与电感分别并联在连接双向可控硅Vl两侧，双向触发二极管V2与电阻Rl串联后再与双向触发二极管并联，电源接芯片Ul的4管脚，Ul的5管脚接地，Ul的3管脚接地，Ul的2管脚接二极管V3，V3的另一端接地，Ul的I管脚接电容电解电容C3，电解电容C3的另一端接地，电容C2 —端接45V电压另一端接地，整流桥D2的2管脚和4管脚并联在C2的两端。实施例2:作为本技术的一种改进，根据权利要求1或2所述的一种高压侧测量用电源电路，其特征在于:所述整流电桥Dl由4个二极管组成，所述的芯片Ul选LM2575HV-5.0，V3 选 1N5819, LI 选 470 y H，C2 选 0.1 y F/63V, C3 选 100 u F/63V, C4 选 220 u F/16V, Vl 选用BTA16，V2选用DB4，R1选510欧，Cl选2.2 y F/ 100V。采用这种设计以后，确保交流电压单峰值控制在45V以下，选用较宽电压输入的DC/DC器件LM2575HV，经过变换输出5V，再转换为相应的电源电压。其余结构特点和优点与实施例1完全相同。本技术还可以将实施例2与实施例1组合成新的实施方式。本技术，具体使用过程如下:交流电压瞬时值的变化锁存到电容上，有效滤除高频干扰脉冲，双向触发二极管V2选DB4，它的触发电压是35?45V，当ACl与AC2间瞬时电压低于触发电压时，电路处于阻断状态；当ACl与AC2间电压高于触发电压值时，双向触发管瞬时短路，触发双向可控硅Vl转向导通，对外电压开始降低，导通电流也降低，ACl与AC2间电压被箝位在双向触发二极管V2的触发电压附近。当以上交流电压负反馈电路动作时，交流电压波形的峰和谷均被削平，单峰值受到限制。交流电压负反馈电路的输出交流信号经过桥式整流和滤波电路后，输出直流电压就不会超出45V。由于母线电流的波动较大，本电路的输入电压变化也大，经Dl桥式整流后电压在5V至45V (小于60V)范围变化，LM2575的内部开关电路正常工作，输出电压直接反馈经过内部比较处理，控制开关电路工作，确保电源输出电压稳定在5V。本技术方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。【权利要求】1.一种高压侧测量用电源电路，由芯片Ul、整流电桥D1、电容C2、电解电容C3、电解电容C4、二极管V3、互感线圈L1、电容Cl、双向可控硅V1、双向触发二极管V2、和电阻Rl组成，其特征在于:整流桥Dl管脚I连接双向可控硅Vl —端，整流桥Dl管脚3连接双向可控硅Vl另一端，电容Cl与电感分别并联在连接双向可控硅Vl两侧，双向触发二极管V2与电阻Rl串联后再与双向触发二极管并联，电源接芯片Ul的4管脚,Ul的5管脚接地,Ul的3管脚接地，Ul的2管脚接二极管V3，V3的另一端接地，Ul的I管脚接电容电解电容C3，电解电容C3的另一端接地，电容C2 —端接45V电压另一端接地，整流桥D2的2管脚和4管脚并联在C2的两端，所述整流电桥Dl由4个二极管组成，所述的芯片Ul选LM2575HV-5.0，V3 选 1N5819, LI 选 470 y H，C2 选 0.1 y F/63V, C3 选 100 u F/63V, C4 选 220 u F/16V, Vl 选用 BTA16, V2 选用 DB4, Rl 选 510 欧，Cl 选 2.2 y F/ 100V。【文档编号】H02M7/155GK20352本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压侧测量用电源电路，由芯片U1、整流电桥D1、电容C2、电解电容C3、电解电容C4、二极管V3、互感线圈L1、电容C1、双向可控硅V1、双向触发二极管V2、和电阻R1组成，其特征在于：整流桥D1管脚1连接双向可控硅V1一端，整流桥D1管脚3连接双向可控硅V1另一端，电容C1与电感分别并联在连接双向可控硅V1两侧，双向触发二极管V2与电阻R1串联后再与双向触发二极管并联，电源接芯片U1的4管脚，U1的5管脚接地，U1的3管脚接地，U1的2管脚接二极管V3，V3的另一端接地，U1的1管脚接电容电解电容C3，电解电容C3的另一端接地，电容C2一端接45V电压另一端接地，整流桥D2的2管脚和4管脚并联在C2的两端，所述整流电桥D1由4个二极管组成，所述的芯片U1选LM2575HV‑5.0，V3选1N5819，L1选470μH，C2选0.1μF/63V，C3选100μF/63V，C4选220μF/16V，V1选用BTA16，V2选用DB4，R1 选510欧，C1选2.2μF/ 100V。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨书杰，郭宗莲，葛君山，
申请(专利权)人：江苏海事职业技术学院，
类型：新型
国别省市：江苏;32