一种逆变焊接电源驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种逆变焊接电源驱动电路，包括整流桥D1、IGBT模块和主变压器T1，其中，所述IGBT模块中第一IGBT管G1、第三IGBT管G3的漏极和整流桥D1的正极输出端相连，第二IGBT管G2、第四IGBT管G4的源极和整流桥D1的负极输出端相连，所述第一IGBT管G1的源极和第二IGBT管G2的漏极相连形成第一逆变电源输出端，所述第三IGBT管G3的源极和第四IGBT管G4的漏极相连形成第二逆变电源输出端。本实用新型专利技术提供的逆变焊接电源驱动电路，能够提高逆变频率，并且保持较低的开关损耗，满足对电弧的高精度控制。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种逆变焊接电源驱动电路，包括整流桥D1、IGBT模块和主变压器T1，其中，所述IGBT模块中第一IGBT管G1、第三IGBT管G3的漏极和整流桥D1的正极输出端相连，第二IGBT管G2、第四IGBT管G4的源极和整流桥D1的负极输出端相连，所述第一IGBT管G1的源极和第二IGBT管G2的漏极相连形成第一逆变电源输出端，所述第三IGBT管G3的源极和第四IGBT管G4的漏极相连形成第二逆变电源输出端。本技术提供的逆变焊接电源驱动电路，能够提高逆变频率，并且保持较低的开关损耗，满足对电弧的高精度控制。【专利说明】—种逆变焊接电源驱动电路
本技术涉及一种电源驱动电路，尤其涉及一种逆变焊接电源驱动电路。
技术介绍
随着IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)逆变技术越来越成熟、频率越来越高、功率越来越大，现已广泛地应用于逆变焊接电源中，目前逆变全桥软开关技术比较稳定、成熟的主要还是在逆变频率约为20kHz左右，这样的响应速度很难满足对电弧的高精度控制，而且输出功率和焊机可靠性受到很大影响。逆变频率高于20kHz的一般用IGBT硬开关技术(单端正激式、半桥逆变式、全桥(硬开关)逆变式等)，且对IGBT的使用一般为单管，造成IGBT的开关损耗大、大功率输出时可靠性较低、同时主变压器体积大、效率低。常规的40kHz焊接电源受IGBT芯片技术制约，一般只能采用IGBT单管，如图1所示，由整流桥D1、IGBT、主变压器Tl和滤波电容等组成。其中IGBT的工作频率提高到40kHz以后开关损耗是比较大的，这对IGBT的散热条件有很高的要求。另外主变压器Tl铁芯的使用效率低，同等条件下铁芯截面约为逆变全桥软开关焊接电源变压器的I倍，整机体积明显受限制。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种逆变焊接电源驱动电路，能够提高逆变频率，并且保持较低的开关损耗，满足对电弧的高精度控制。本技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种逆变焊接电源驱动电路，包括整流桥Dl、IGBT模块和主变压器Tl，其中，所述IGBT模块包括第一 IGBT管Gl、第二 IGBT管G2、第三IGBT管G3和第四IGBT管G4 ;所述第一 IGBT管G1、第三IGBT管G3的漏极和整流桥Dl的正极输出端相连，所述第二 IGBT管G2、第四IGBT管G4的源极和整流桥Dl的负极输出端相连，所述第一 IGBT管Gl的源极和第二 IGBT管G2的漏极相连形成第一逆变电源输出端，所述第三IGBT管G3的源极和第四IGBT管G4的漏极相连形成第二逆变电源输出端；所述第一逆变电源输出端、第二逆变电源输出端和谐振电感L2、谐振电容C7串联后和主变压器Tl的输入回路相连。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述整流桥Dl的正极输出端、负极输出端两端并联有压敏电阻RYl和滤波电路，所述滤波电路包括电容Cl、电容C2和电容C3，所述电容Cl和电容C2串联后再和电容C3并联。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述压敏电阻RYl为氧化锌压敏电阻器。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述第二逆变电源输出端和第三IGBT管G3的源极之间连接有吸收电容C5，所述第二逆变电源输出端和第四IGBT管G4的漏极之间连接有吸收电容C6，所述吸收电容C5、吸收电容C6、谐振电感L2和谐振电容C7 —起形成谐振电路。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述第一逆变电源输出端和第二逆变电源输出端之间串联有电流取样互感器HG1，所述电流取样互感器HGl的原边线圈匝数和副边线圈匝数之比为150?250:1。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述电流取样互感器HGl的原边线圈匝数和副边线圈匝数之比为200:1。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述主变压器Tl的一路输出回路和换向电感LI相连形成负载回路。上述的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述第一 IGBT管G1、第二 IGBT管G2、第三IGBT管G3和第四IGBT管G4的栅极和频率为20kHz?40kHz的开关脉冲电路相连。本技术对比现有技术有如下的有益效果:本技术提供的逆变焊接电源驱动电路，通过四个IGBT管形成的两路双管IGBT模块代替单管正激，从而提高逆变频率，并且保持较低的开关损耗，满足对电弧的高精度控制。【专利附图】【附图说明】图1为现有逆变单端正激式焊接电源驱动电路结构示意图；图2为本技术逆变焊接电源驱动电路结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术作进一步的描述。图2为本技术逆变焊接电源驱动电路结构示意图。请参见图1，本技术提供的逆变焊接电源驱动电路包括整流桥Dl、IGBT模块和主变压器Tl，其中，所述IGBT模块包括第一 IGBT管Gl、第二 IGBT管G2、第三IGBT管G3和第四IGBT管G4 ;所述第一 IGBT管G1、第二 IGBT管G2、第三IGBT管G3和第四IGBT管G4的栅极和频率为20kHz?40kHz的开关脉冲电路相连；第一 IGBT管Gl和第二 IGBT管G2可以采用一个集成的双管高速IGBT模块，第三IGBT管G3和第四IGBT管G4也可以采用一个集成的双管高速IGBT模块；所述第一 IGBT管Gl、第三IGBT管G3的漏极和整流桥Dl的正极输出端相连，所述第二 IGBT管G2、第四IGBT管G4的源极和整流桥Dl的负极输出端相连，所述第一 IGBT管Gl的源极和第二 IGBT管G2的漏极相连形成第一逆变电源输出端，所述第三IGBT管G3的源极和第四IGBT管G4的漏极相连形成第二逆变电源输出端；所述第一逆变电源输出端、第二逆变电源输出端和谐振电感L2、谐振电容C7串联后和主变压器Tl的输入回路相连。本技术提供的逆变焊接电源驱动电路，其中，所述整流桥Dl的正极输出端、负极输出端两端并联有压敏电阻RYl和滤波电路，所述滤波电路包括电容Cl、电容C2和电容C3，所述电容Cl和电容C2串联后再和电容C3并联。所述第二逆变电源输出端和第三IGBT管G3的源极之间连接有吸收电容C5，所述第二逆变电源输出端和第四IGBT管G4的漏极之间连接有吸收电容C6，所述吸收电容C5、吸收电容C6、谐振电感L2和谐振电容C7 —起形成谐振电路。所述压敏电阻RYl可选择氧化锌(ZnO)压敏电阻器。上述的逆变焊接电源驱动电路，所述第一逆变电源输出端和第二逆变电源输出端之间串联有电流取样互感器HG1，所述电流取样互感器HGl的原边线圈匝数和副边线圈匝数之比为150?250:1，优选为200:1，具体根据实际电路需要进行选择。所述主变压器Tl有多路输出，其中一路输出回路和换向电感LI相连形成负载回路。综上所述，本技术提供的逆变焊接电源驱动电路，改变常规40kHz逆变单端正激式焊接电源电路设计，通过四个IGBT管形成的两路双管IGBT模块代替单管正激，从而提高逆变频率，并且保持较低的开关损耗，满足对电弧的高精度控制。具体优点如下:1、采用先进高速IGBT模块确保性能稳定可靠；2、采用合理的驱动和谐振电路参数确保IGBT模块工作在理想状态，即实现O电压、O电流开通和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变焊接电源驱动电路，包括整流桥D1、IGBT模块和主变压器T1，其特征在于，所述IGBT模块包括第一IGBT管G1、第二IGBT管G2、第三IGBT管G3和第四IGBT管G4；?所述第一IGBT管G1、第三IGBT管G3的漏极和整流桥D1的正极输出端相连，所述第二IGBT管G2、第四IGBT管G4的源极和整流桥D1的负极输出端相连，所述第一IGBT管G1的源极和第二IGBT管G2的漏极相连形成第一逆变电源输出端，所述第三IGBT管G3的源极和第四IGBT管G4的漏极相连形成第二逆变电源输出端；?所述第一逆变电源输出端、第二逆变电源输出端和谐振电感L2、谐振电容C7串联后和主变压器T1的输入回路相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：舒振宇，黄叶剑，
申请(专利权)人：上海沪工焊接集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：