体III族氮化物晶体的生长制造技术

技术编号:9851507 阅读:177 留言:0更新日期:2014-04-02 17:04
通过用由一种或更多种III族和碱金属组成的薄湿润层或膜涂布种子的至少一个表面生产III族氮化物晶体的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
使用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的助熔剂生长III族氮化物晶体的方法,包括:用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的薄湿润层涂布种子的至少一个表面;和通过使所述助熔剂接触所述种子或通过使所述种子接触所述助熔剂,在生长气氛中在所述种子上生长所述III族氮化物晶体,其中所述种子或助熔剂至少部分暴露于所述生长气氛。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·皮姆普特卡J·S·斯派克
申请(专利权)人:加利福尼亚大学董事会
类型:发明
国别省市:美国;US

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