反时限型过电压保护装置制造方法及图纸

技术编号:9851480 阅读:115 留言:0更新日期:2014-04-02 17:04
本实用新型专利技术涉及一种过电压保护装置,尤其是涉及反时限型过电压保护装置,包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分,MCU控制部分,对电压采样部分输入的直流电压进行采样,并判断是否过压,如果过压,再根据过压值的过压范围,确定延时时间,电压越高,延时越短,然后输出高电平;本实用新型专利技术提供的反时限型过电压保护装置,利用MCU控制部分进行AD采样,通过AD值判断电路是否过压,对于过压的情况算出电源电压,通过判断过电压的值,来确定延时时间的长短软件控制,实现了不同过电压情况下的开关动作延时的不同,电压越高,开关动作时间越短。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
反时限型过电压保护装置
本技术涉及一种过电压保护装置,尤其是涉及反时限型过电压保护装置。
技术介绍
目前市场上过电压保护装置功能比较单一,设定在一个电压情况下进行过压保护,开关动作延时相同,现有少部分反时限型过压保护装置,为了实现多种延时,对每一个过压值设置一路延时电路,电路复杂成本高。
技术实现思路
针对上述的问题,本技术提供一种电路简单并具有反时限功能的过电压保护装置,具体的技术方案为:反时限型过电压保护装置,包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分,其中:整流部分,将被保护电路的交流电变成直流电压;电源部分,将整流部分输入的直流电压减压成5V直流电平,为MCU控制部分提供工作电压;电压采样部分,将整流部分输入的直流电压进行分压产生稳定的直流电压供MCU控制部分采样;MCU控制部分,对电压采样部分输入的直流电压进行采样,并判断是否过压,如果过压,再根据过压值的过压范围,确定延时时间,电压越高,延时越短,然后输出高电平;可控硅开关部分,MCU控制部分输出高电平,使可控硅导通,触发开关断电。优化设计为,所述的MCU控制部分,对电压采样部分输入的直流电压进行采样,并通过AD转换,将直流电压转换成数AD值,根据AD值判断是否过压,如果过压,通过AD值计算出被保护电路的电源电压,再根据过压值的过压范围,确定延时时间,电压越高,延时越短,然后输出高电平。所述的电压采样部分依次包括降压电阻、调整电阻及其稳压电容。本技术提供的反时限型过电压保护装置,利用MCU控制部分进行AD采样,通过AD值判断电路是否过压,对于过压的情况算出电源电压,通过判断过电压的值,来确定延时时间的长短软件控制,实现了不同过电压情况下的开关动作延时的不同,电压越高,开关动作时间越短。【附图说明】图1为本技术的电路原理图;图2为本技术MCU控制部分判断流程图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术的【具体实施方式】作进一步详细的说明。如图1所示,包括整流部分100、电源部分200、电压采样部分300、MCU控制部分400和可控娃开关部分500 ;整流部分100接入被保护电路电源的输入端L和N端,交流电压经整流桥DBl整流后,得到直流电压;电源部分200,将整流部分100输入的直流电压依次经过町、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6降压电阻、5.1V稳压管ZDl及与ZDl并联的滤波电容Cl,得到稳定的5V直流电平VCC,该电压VCC给MCU控制部分400提供工作电压;电压采样部分300,将整流部分100输入的直流电压经过降压电阻R7、R8进行分压产生0-1.1V之间的电压,经过整电阻R9后,由稳压电容C2对电压滤波产生稳定的0-1.1V的直流电压供MCU控制部分400采样;MCU控制部分400,MCU控制部分400使用了 ATTINY13A单片机,内部集成了 10位AD转换单元,及1.1V参考电压,如图2所示,ATTINY13A单片机对电压采样部分300输入的0-1.1V的直流电压进行采样,并通过AD转换,将直流电压转换成数AD值,根据AD值判断是否过压,如果过压,通过AD值计算出被保护电路的电源电压,再根据过压值的过压范围,确定延时时间,电压越高,延时越短;具体的,MCU控制部分400根据AD值查表得到延时值,具体见下表1,然后输出高电平;表1本文档来自技高网...

【技术保护点】
反时限型过电压保护装置,其特征在于:包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分,其中,整流部分,将被保护电路的交流电变成直流电压;电源部分,将整流部分输入的直流电压减压成5V直流电平,为MCU控制部分提供工作电压;电压采样部分,将整流部分输入的直流电压进行分压产生稳定的直流电压供MCU控制部分采样;MCU控制部分,对电压采样部分输入的直流电压进行采样,并判断是否过压,如果过压,再根据过压值的过压范围,确定延时时间,电压越高,延时越短,然后输出高电平;可控硅开关部分,MCU控制部分输出高电平,使可控硅导通,触发开关断电。

【技术特征摘要】
1.反时限型过电压保护装置,其特征在于:包括整流部分、电源部分、电压采样部分、MCU控制部分和可控硅开关部分,其中, 整流部分,将被保护电路的交流电变成直流电压; 电源部分,将整流部分输入的直流电压减压成5V直流电平,为MCU控制部分提供工作电压; 电压采样部分,将整流部分输入的直流电压进行分压产生稳定的直流电压供MCU控制部分米样; MCU控制部分,对电压采样部分输入的直流电压进行采样,并判断是否过压,如果过压,再根据过压值的过压范围,确定延时时间,电压越高,延时越短,然后输出高电平; ...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱荣惠徐荣灿张松建
申请(专利权)人:无锡华阳科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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