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模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se制造技术

技术编号:9791893 阅读:159 留言:0更新日期:2014-03-21 03:27
本发明专利技术公开了一种模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,以三方晶系的硒纳米线为模板,与AgNO3溶液在室温下反应,反应方程式为:3Se+6Ag++3H2O→2Ag2Se+Ag2SeO3+6H+,Ag+扩散到单晶硒纳米线中,催化Se使之歧化为Se2-和Se4+,然后,Se4+离开母体,在模板周围的液态环境中与Ag+、H2O反应生成Ag2SeO3,Se2-与滞留下来的Ag+结合生成单晶Ag2Se纳米线。采用多孔氧化铝薄膜为模板代替三方晶系的硒纳米线。本发明专利技术的有益效果为:模板法原理简单,操作简便。由于模板剂在反应过程中同时起到模板、结构导向、空间填充、支撑、平衡电荷和配位等作用,因此采用模板法可以控制纳米材料的形貌和尺寸。

【技术实现步骤摘要】
模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se
本专利技术涉及材料领域,具体是一种模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se。
技术介绍
目前,Ag2Se纳米材料作为一类新型功能材料,已成为国内外材料学研究的热点之一。Ag2Se纳米材料具有许多有趣而特殊的性能,它的高温相是一种超离子导体,这种固体电解质可用于制备二级光充电电池、磁场传感器、固体电化学传感器、非线性光学器件和多功能离子选择电极等;而它的低温相由于具有较窄的带隙,其纳米晶作为光敏剂被广泛应用于摄影工业的感光剂和热色材料之中。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,采用预制的一些具有孔道结构的刚性模板,它们的均匀孔道为反应物提供了反应场所。本专利技术的技术方案是这样实现的:模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,其特征在于,以三方晶系的硒纳米线为模板,与AgN03溶液在室温下反应,反应方程式为:3Se+6Ag++3H20 — 2Ag2Se+Ag2Se03+6H+,Ag+扩散到单晶硒纳米线中,催化Se使之歧化为Se2lP Se4+,然后,Se4+离开母体,在模板周围的液态环境中与Ag+、H20反应生成Ag2Se03,Se2_与滞留下来的Ag+结合生成单晶Ag2Se纳米线。采用多孔氧化铝薄膜为模板代替三方晶系的硒纳米线。本专利技术的有益效 果为:模板法原理简单,操作简便。由于模板剂在反应过程中同时起到模板、结构导向、空间填充、支撑、平衡电荷和配位等作用,因此采用模板法可以控制纳米材料的形貌和尺寸。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解释说明。实施例1模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,以三方晶系的硒纳米线为模板,与AgN03溶液在室温下反应,反应方程式为:3Se+6Ag++3H20 — 2Ag2Se+Ag2Se03+6H+, Ag+扩散到单晶硒纳米线中,催化Se使之歧化为362_和Se4+,然后,Se4+离开母体,在模板周围的液态环境中与Ag+、H20反应生成Ag2Se03, Se2-与滞留下来的Ag+结合生成单晶Ag2Se纳米线。实施例2模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,以多孔氧化铝薄膜为模板,与AgN03溶液在室温下反应,反应方程式为:3Se+6Ag++3H20 — 2Ag2Se+Ag2Se03+6H+,Ag+扩散到单晶硒纳米线中,催化Se使之歧化为362_和Se4+,然后,Se4+离开母体,在模板周围的液态环境中与Ag+、H20反应生成Ag2Se03, Se2-与滞留下来的Ag+结合生成单晶Ag2Se纳米线。采用代替三方晶系的硒纳米线。以上所述,仅为本专利技术较佳的【具体实施方式】,但本专利技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本专利技术披露的技术范围内,根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,其特征在于,以三方晶系的硒纳米线为模板,与AgNO3溶液在室温下反应,反应方程式为:3Se+6Ag++3H2O→2Ag2Se+Ag2SeO3+6H+,Ag+扩散到单晶硒纳米线中,催化Se使之歧化为Se2?和Se4+,然后,Se4+离开母体,在模板周围的液态环境中与Ag+、H2O反应生成Ag2SeO3,Se2?与滞留下来的Ag+结合生成单晶Ag2Se纳米线。

【技术特征摘要】
1.模板法制备新型功能材料纳米Ag2Se,其特征在于,以三方晶系的硒纳米线为模板,与AgN03溶液在室温下反应,反应方程式为:3Se+6Ag++3H20 — 2Ag2Se+Ag2Se03+6H+,Ag+扩散到单晶硒纳米线中,催化Se使之歧化为Se2_和Se4+,然...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙永平
申请(专利权)人:孙永平
类型:发明
国别省市:

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