光耦合器制造技术

一种光耦合器，解决了现有的光耦合器不能兼顾CMR特性以及CTR特性且制造成本高的问题。本实用新型专利技术的光耦合器包括：输入侧引线框；输出侧引线框，与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置；发光元件，安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面；受光元件，在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面，与所述发光元件相对且隔着间隔而安装；以及突起物，配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中，且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
光輔合器
本技术涉及具有发光元件以及受光元件的光耦合器。
技术介绍
一般的光耦合器成为如下结构:两个引线框相对而隔着间隔配置，在输入侧的引线框中安装并接合发光元件(例如，发光二极管)，在输出侧的引线框中安装并接合受光元件(例如，受光1C)，发光元件和受光元件相对而隔着间隔配置(例如，参照专利文献2的图5)。在这样的光I禹合器中，由于在输入输出之间(发光兀件一受光兀件之间)寄生电容(杂散电容)等效地存在，所以若对寄生电容施加因噪声信号或高速开关动作而急剧变化的电压，则存在即使发光元件不点亮，也从输入侧(发光元件以及引线框)对受光元件流过电流(位移电流)从而产生输出的误动作的情况。关于这样的误动作，作为表示误动作的难易度的指标，有被称为CMR(Common ModeRejection (共模抑制);瞬间同相消除电压)的参数。CMR是指可将光耦合器的输出状态维持准确的状态的最大的同相电压Vai的转换速率，作为每I μ s的电压变化值来表示(参照非专利文献I)。在如上所述的一般的光耦合器中，经由因噪声信号或高速开关动作而电压急剧变化所引起的输入输出之间的寄生电容流过的位移电流id可由[数学式I]表示。[数学式I]

【技术保护点】
一种光耦合器，其特征在于，包括：输入侧引线框；输出侧引线框，与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置；发光元件，安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面上；受光元件，在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面上，与所述发光元件相对且隔着间隔而安装；以及突起物，配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中，且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。

【技术特征摘要】
2012.09.12 JP 2012-2007341.一种光稱合器，其特征在于，包括: 输入侧引线框； 输出侧引线框，与所述输入侧引线框相对且隔着间隔而配置； 发光元件，安装在所述输入侧引线框中的所述输出侧引线框侧的面上； 受光元件，在所述输出侧引线框中的所述输入侧引线框侧的面上，与所述发光元件相对且隔着间隔而安装；以及 突起物，配置在所述输出侧引线框中的所述受光元件的周围的区域的至少一部分中，且由向所述输入侧引线框侧突出的导电性的接合线或者凸部构成。2.如权利要求1所述的光耦合器，其特征在于， 所述突起物突出得比所述受光元件的厚度还高。3.如权利要求1或2所述的光耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：御田村和宏，森林茂，柳沼隆太，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：实用新型
国别省市：