悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法技术

技术编号:9767201 阅读:114 留言:0更新日期:2014-03-15 18:04
本发明专利技术提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片,包括顶层氮化物器件层和硅衬底层;该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离,消除硅衬底层对激发光的吸收,实现悬空氮化物薄膜LED器件;所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构,用以改善氮化物的界面状态,提高出光效率;结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除LED器件下方的硅衬底层,得到悬空氮化物薄膜LED器件,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件,降低LED器件的内部损耗,提高出光效率。

【技术实现步骤摘要】
悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法
本专利技术涉及悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法,属于信息材料与器件

技术介绍
随着氮化物材料生长技术的突破,硅衬底氮化物晶片已经逐步实现技术突破,走向商用市场。发展硅衬底氮化物LED器件,具有广阔的应用空间。以往的氮化镓LED都是生长在蓝宝石衬底上面,本专利技术的氮化镓LED是生长在硅衬底上面的。并且和光学微机电器件(MEMS)相结合。实现对光波的调控,同时提高了出光的效率。在氮化物器件层的上表面具有纳米结构,是谐振光栅,用以改善氮化物的界面状态,提高出光效率;作为LED发光器件,特别是蓝光的发光效率非常重要。但是由于硅材料对于蓝光的吸收作用,所以对硅衬底的剥离问题也是一个关键问题。生长在硅衬底上的氮化物材料,利用深硅刻蚀技术,可以解决硅衬底和氮化物材料的剥离问题,获得悬空的氮化物薄膜;利用悬空氮化物薄膜背后减薄技术,可以解决顶层氮化物器件的刻蚀难题,通过背后减薄,获得超薄的氮化物薄膜,减小LED器件的内部损耗。此外,氮化物薄膜LED器件,可以转移到其他低折射率衬底上,实现多种器件的集成。
技术实现思路
本专利技术提供一种悬空氮化物薄膜LED器件,其结构包含硅材料、氮化镓材料、谐振光栅、LED结构、N-GaN接触层、n-电极(Ti/Al)、量子阱、P-GaN接触层、ITO电流扩展层、p-电极(Ni/Au)、SiO2隔离层、金属反射镜,LED器件制作在硅衬底上的氮化镓层上,硅衬底层上是N-GaN接触层、量子阱,N-GaN接触层上表面是n-电极,n-电极是由Ti/Al组成,P-GaN接触层上表面是ITO电流扩展层,ITO电流扩展层上表面是p-电极,p-电极是由Ni/Au组成,在氮化镓层上,设计了LED发光器件;包括LED结构,谐振光栅纳米结构;在n-电极、p-电极、LED结构、谐振光栅表面覆盖一层SiO2隔离层。本专利技术的器件实现载体为硅衬底的氮化物晶片,包括顶层氮化物器件层和硅衬底层;硅衬底层上的氮化物器件层,在氮化物层由量子阱,以及在工艺中实现的N-GaN接触层;在量子阱上有P-GaN接触层、P-GaN接触层有ITO电流扩展层;以及在N-GaN接触层、ITO电流扩展层上的n-电极(Ni/Au)和p-电极(Ti/Al);n-电极(Ti/Al)(6)沉积的金属材料为Ti/Al、p-电极(Ni/Au)(10)沉积的金属材料为Ni/Au、金属反射镜(12)沉积的材料为Ag/Al;该器件生长一层高透射率的电流扩展层薄膜ITO;该器件在氮化物器件层定义并实现LED器件。本专利技术的悬空氮化物薄膜LED器件,由于硅衬底氮化物器件层的厚度通常由生长条件决定,厚度较大,内部损耗严重,加上氮化镓材料和硅材料的晶格不匹配导致应力的作用。硅衬底吸收一部分出射光,特别是蓝光,降低了LED的发光效率,所以本专利技术提供的技术方法能够实现硅衬底和氮化物器件层的剥离,发展悬空氮化物薄膜LED器件,利用背后减薄技术,减小器件的内部损耗,获得高出光效率的超薄LED器件。本专利技术在完成背后硅刻蚀和氮化镓材料的减薄以后,在背后沉积金属反射镜,提升器件的出光效率。本专利技术还提出还一种悬空氮化物薄膜LED器件的工艺制备方法,包括如下具体步骤:步骤(1):所述硅衬底氮化物晶片首先背后抛光减薄,以便背后深硅刻蚀技术,去除硅衬底层;步骤(2):利用电子束曝光、光刻或自对准技术在所述硅衬底氮化物晶片的顶层氮化物器件层定义纳米光栅、光子晶体或其他纳米结构;步骤(3):采用离子束轰击或反应离子束刻蚀技术将步骤(2)中的纳米结构转移至顶层氮化物器件层;步骤(4):利用氧气等离子灰化方法去除残余的胶层;步骤(5):生长高透射率电流扩展层薄膜;步骤(6):光刻定义电流扩展层区域,并刻蚀获得电流扩展层区域;步骤(7):沉积刻蚀掩膜层,光刻定义n-GaN台阶区域;步骤(8):蚀刻掩膜层,然后采用反应离子束刻蚀n-GaN台阶区域;步骤(9):去除残余蚀刻掩膜层;步骤(10):沉积掩膜层,光刻定义p-电极区域,并蚀刻掩膜层,获得p-电极区域窗口;步骤(11):蒸镀Ni/Au作为p-电极,采用lift-off工艺,实现p-电极,并进行合晶化处理;步骤(12):光刻定义n-电极区域,并蚀刻掩膜层,获得n-电极区域窗口;步骤(13):蒸镀Ti/Al作为n-电极,采用lift-off工艺,实现n-电极,并进行合金化处理;步骤(14):LED器件层涂胶保护,结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除LED器件下方的硅衬底层,实现悬空的氮化物薄膜LED器件;步骤(15):采用氮化物背后减薄方法,利用离子束轰击或反应离子束刻蚀技术,背后减薄氮化物;步骤(16):背后沉积金属反射镜;步骤(17):去除残余光刻胶,获得超薄氮化物薄膜LED器件。本专利技术有益之处在于:1.本专利技术是生长在硅材料上的氮化镓LED器件,不是蓝宝石衬底,通过背后减薄工艺解决了硅材料和氮化镓材料的晶格不匹配问题,解决了应力释放的问题。2.本专利技术在氮化镓器件层设计了谐振光栅,可以对光波长进行选择,可以满足不同的需要。3.本专利技术为了提高LED器件的发光效率,为了解决硅材料的可见光的吸收散射问题。提出了新的工艺方法,背后工艺,通过光刻技术以及深硅刻蚀技术,刻蚀完硅衬底材料,继续通过Ⅲ-Ⅴ族刻蚀对氮化镓材料进行刻蚀,继而使得谐振光栅能够完全悬空。4.在完成背后硅刻蚀和氮化镓材料的减薄以后,在背后沉积金属反射镜,提升器件的出光效率。附图说明图1为硅衬底悬空氮化物薄膜LED器件侧面示意图。附图标记说明:1-硅材料;2-氮化镓材料;12-金属反射镜。图2为硅衬底悬空氮化物薄膜LED器件正面俯视图。附图标记说明:2-氮化镓材料;3-谐振光栅;4-LED结构。图3为硅衬底悬空氮化物薄膜LED器件结构示意图。附图标记说明:1-硅材料;5-N-GaN接触层;6-n-电极(Ti/Al);7-量子阱;8-P-GaN接触层;9-ITO电流扩展层;10-p-电极(Ni/Au);11-SiO2隔离层。图4为硅衬底悬空氮化物薄膜LED器件制备方法的工艺流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明:实施例一如图1、2、3所示,本专利技术提供一种悬空氮化物薄膜LED器件,其包含硅材料1、氮化镓材料2、谐振光栅3、LED结构4、N-GaN接触层5、n-电极(Ti/Al)6、量子阱7、P-GaN接触层8、ITO电流扩展层9、p-电极(Ni/Au)10、SiO2隔离层11、金属反射镜12,LED器件4制作在硅衬底上1的氮化镓层2上,硅衬底层1上是N-GaN接触层5、量子阱7,N-GaN接触层5上表面是n-电极6,n-电极6是由Ti/Al组成,P-GaN接触层8上表面是ITO电流扩展层9,ITO电流扩展层9上表面是p-电极10,p-电极10是由Ni/Au组成,在氮化镓层2上,设计了LED发光器件;包括LED结构4,谐振光栅3纳米结构;在n-电极6、p-电极10、LED结构4、谐振光栅3表面覆盖一层SiO2隔离层。该LED器件是制作在硅衬底上的氮化镓层,需要在N-GaN接触层、P-GaN接触层上沉积n-电极、p-电极,n-电极是由Ti/Al组成,p-电极是由Ni/Au。在氮化镓层上,设计了LED发光器件。包括LED结构,本文档来自技高网...
悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法

【技术保护点】
本专利技术提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法,其特征在于:其包含硅材料(1)、氮化镓材料(2)、谐振光栅(3)、LED结构(4)、N?GaN接触层(5)、n?电极(Ti/Al)(6)、量子阱(7)、P?GaN接触层(8)、ITO电流扩展层(9)、p?电极(Ni/Au)(10)、SiO2隔离层(11)、金属反射镜(12),LED器件(4)制作在硅衬底上(1)的氮化镓层(2)上,硅衬底层(1)上是N?GaN接触层(5)、量子阱(7),N?GaN接触层(5)上表面是n?电极(6),n?电极(6)是由Ti/Al组成,P?GaN接触层(8)上表面是ITO电流扩展层(9),ITO电流扩展层(9)上表面是p?电极(10),p?电极(10)是由Ni/Au组成,在氮化镓层(2)上,设计了LED发光器件;包括LED结构(4),谐振光栅(3)纳米结构;在n?电极(6)、p?电极(10)、LED结构(4)、谐振光栅(3)表面覆盖一层SiO2隔离层。

【技术特征摘要】
1.一种悬空氮化物薄膜LED器件的工艺制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤(1):硅衬底氮化物晶片首先背后抛光减薄,以便背后深硅刻蚀技术,去除硅衬底层;步骤(2):利用电子束曝光、光刻或自对准技术在硅衬底氮化物晶片的顶层氮化物器件层定义纳米光栅、光子晶体或其他纳米结构;步骤(3):采用离子束轰击或反应离子束刻蚀技术将步骤(2)中的纳米结构转移至顶层氮化物器件层;步骤(4):利用氧气等离子灰化方法去除残余的胶层;步骤(5):生长高透射率电流扩展层薄膜;步骤(6):光刻定义电流扩展层区域,并刻蚀获得电流扩展层区域;步骤(7):沉积刻蚀掩膜层,光刻定义n-GaN台阶区域;步骤(8):蚀刻掩膜层,然后采用反应离子束刻蚀n-GaN台阶区域;步骤(9):去除残余蚀刻掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:王永进于庆龙高绪敏施政曲颖贺树敏李欣王镇海
申请(专利权)人:南京邮电大学
类型:发明
国别省市:

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