【技术实现步骤摘要】
内存卡控制电路
本技术涉及一种控制电路,尤其涉及控制内存卡读写的控制电路。
技术介绍
为了实现内存卡读写速度的控制,需要在控制电路中加入控制电路,以通过改变阻抗值或其他方式形成电压及电流值的变化,从而控制施加在内存卡芯片上的电路参数,改变其读取和写入速度。在传统的电路结构中,为了实现此方式通常使用N通道金属氧化场效半导晶体管做为控制电路,利用NMOS FET导通或截止特性来控制阻抗值。但是NMOS FET工作时产生跨电压,会导致电路整体工作电压不稳定,无法实现对内存卡芯片的有效控制;同时由于NMOSFET的电力学特性,在使用时必须给出额外的功率补偿,功耗较大。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷,本技术公开了一种内存卡控制电路,利用DG MOSFET做为调整电路的开关组件,降低功率消耗并提升芯片良率。为实现上述目的,本技术是通过下述技术方案实现的:内存卡控制电路,所述控制电路包括连接到内存卡芯片的多个串联的电阻,连接到内存卡芯片的多个串联的双闸极金氧半导场效晶体管,其中双闸极金氧半场效晶体管的汲极和闸极分别连接到对应电阻的两端。其中,所述双闸极金氧半导场效晶体管包括N型基材,在N型基材具有闸极、汲极、源极及基极。在本技术中,可适用的内存卡包括TF、SD或CF,但是DRAM、SRAM由于其读写特性的不同,不可适用本技术的控制电路。本技术的控制电路通常是适用于以电压或电流作用于单个存储芯片作为开关信号以产生相应的读取、写入、清除。通过上述结构,利用双闸极金氧半导场效晶体管连接控制电阻是否连接于芯片读写,将双闸极金氧半场效晶体管的汲极和闸极加上高电位利用浮 ...
【技术保护点】
内存卡控制电路,其特征在于包括连接到内存卡芯片的多个串联的电阻,连接到内存卡芯片的多个串联的双闸极金氧半导场效晶体管,其中双闸极金氧半场效晶体管的汲极和闸极分别连接到对应电阻的两端。
【技术特征摘要】
1.内存卡控制电路,其特征在于包括连接到内存卡芯片的多个串联的电阻,连接到内存卡芯片的多个串联的双闸极金氧半导场效晶体管,其中双闸极金氧半场效晶体管的汲极和闸极分别连接到对应电阻的两端。2.根据权利要求1所述的内存卡控制电路,其特征在于所述双闸极金氧半...
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