一种密勒补偿结构的运算放大器制造技术

本发明专利技术提供一种密勒补偿结构的运算放大器，包括：第一级放大器、电平位移电路、第二级放大器以及密勒补偿电路，其中，所述密勒补偿电路为RC低阻节点密勒补偿电路。在第一级运算放大器采用具有低阻节点RC密勒补偿技术，将第一级差分小信号输出的电压变化处理至低阻点，并在该点做密勒补偿，与传统两级运算放大器的密勒补偿结构相比较，具有更大的运算放大器单位增益带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种密勒补偿结构的运算放大器
本专利技术涉及一种可用于无线通信的运算放大器，特别涉及一种密勒补偿结构的运算放大器。
技术介绍
在无线通信系统中，首先会将信号进行调制后发送，然后在接收端再进行解调，从而完成了信号的无线通信，随着无线通讯技术的快速发展，人们对通讯中数据的传输速率和传输质量的要求越来越高。而高的传输速率意味着在射频模拟前端中对带宽要求越高。对带宽的要求越大，也就意味对滤波器要求越高，而运算放大器是滤波器的一个重要组成部分。现有的运算放大器所采用的补偿电路由于其高阻的关系，导致运算放大的增益带宽受到较大影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种支持低阻节点、大增益带宽的密勒补偿结构的运算放大器。为了解决以上技术问题，本专利技术提供一种密勒补偿结构的运算放大器，包括:第一级放大器，用来接收待放大信号并进行第一级放大；电平位移电路，用以接收所述第一级放大器输出的信号并I禹合输出；第二级放大器，接收所述电平位移电路输出的信号，进行第二级放大后输出被放大信号，其偏置状态受所述电平位移电路控制；其中，所述运算放大器还包括密勒补偿电路，所述密勒补偿电路为低阻节点RC电路，所述密勒补偿电路耦接于所述第一级放大器与所述第二级放大器之间，用来依据所述第二级放大器输出的放大信号产生补偿信号，并将该补偿信号反馈至所述第一级放大器的输出端。优选的，所述第一级放大器包括PMOS尾电流管Mtl、电路连接方式相同且结构对称的第一差分共源共栅输入电路105与第二差分共源共栅输入电路106、电路连接方式相同且结构对称的第一差分共源共栅负载电路107与第二差分共源共栅负载电路108，待放大信号通过第一差分共源共栅输入电路105与第二差分共源共栅输入电路106进入第一级放大器进行第一级放大，第一差分共源共栅负载电路107与第二差分共源共栅负载电路108用于与所述密勒补偿电路配合，以此对第二级放大器的输出进行补偿反馈。优选的，所述电平位移电路包括电路连接方式相同且结构对称的第一电平位移电路103与第二电平位移电路104，经第一级放大器放大的信号输入给第一电平位移电路103与第二电平位移电路104。优选的，所述第二级放大器为Class AB类放大器，包括电路连接方式相同且结构对称的第一 Class AB型推挽输出电路109和第二 Class AB型推挽输出电路110，第一 ClassAB型推挽输出电路109和第二 Class AB型推挽输出电路110接收由电平位移电路偏置后输出的信号并输出被放大信号。优选的，所述密勒补偿电路包括电路连接方式相同且结构对称第一密勒补偿电路101与第二密勒补偿电路102。优选的,所述第一差分共源共栅输入电路105的输入端作为第一级放大器的输入端与第一输入端电连接，所述第一差分共源共栅输入电路105的输入端通过第一电平位移电路103与所述第一 Class AB型推挽输出电路109电连接，所述第一密勒补偿电路101耦接于所述第一 Class AB型推挽输出电路109和第一差分共源共栅负载电路107之间,所述第一电平位移电路103电连接所述PMOS尾电流晶体管Mtl的栅极Vb。优选的，所述第一密勒补偿电路101包括串联的CMOS MIM电容Cal和多晶硅电阻Ral ；所述第一电平位移电路103包括串联的浮置电池型电容Cbl和输出偏置电阻Rbl ；所述第一差分共源共栅输入电路105包括PMOS管Mbl和与其漏极相连的PMOS管Mal ；所述第一差分共源共栅负载电路107包括NMOS管Mcl和与其源极相连的NMOS尾电流负载管Mdl ；所述第一 Class AB型推挽输出电路109包括PMOS推挽输出晶体管Mel和NMOS推挽输出晶体管ΜΠ。优选的，所述PMOS推挽输出晶体管Mel和NMOS推挽输出晶体管Mfl的漏极相连，所述相连的漏极作为所述第一 Class AB型推挽输出电路109的输出端输出被放大信号，所述PMOS推挽输出晶体管Mel的栅极的接收经所述浮置电池型电容Cbl输出的被所述第一级放大器处理的放大信号；所述PMOS管Mbl的漏极与所述PMOS管Mal的源极相连，所述PMOS管Mal的漏极作为第一级放大器的一个输出口，所述PMOS管Mbl的栅极作为第一级放大器的一个输入端Π ；所述NMOS晶体管Mcl的源极和所述NMOS尾电流负载管Mdl的漏极相连并作为所述第一密勒补偿电路101的反馈连接端。优选的，所述CMOS MM电容Ca和所述晶硅电阻Ral串联连接，所述CMOS MM电容Cal的另一端分别与所述NMOS晶体管Mcl的源极和所述NMOS尾电流负载管Mdl的漏极相连，所述多晶硅电阻Ral的另一端分别与所述PMOS推挽输出晶体管Mel的漏极和所述NMOS推挽输出晶体管Mfl的漏极相连；所述浮置电池型电容Cbl和所述输出偏置电阻Rbl串联相连，所述浮置电池型电容Cbl的另一端分别与所述PMOS管Mbl的漏极、所述NMOS管Mcl的漏极、所述NMOS推挽输出晶体管Mfl的栅极相连，所述晶硅电阻Rbl的另一端与PMOS尾电流晶体管Mtl的栅极相连，所述浮置电池型电容Cbl和所述输出偏置电阻Rbl的串联节点与所述PMOS推挽输出晶体管Mel的栅极相连；所述PMOS管Mbl的漏极与所述PMOS管Mal的源极相连，所述PMOS输入晶体管Mbl的源极与PMOS尾电流晶体管Mtl的漏极相连；所述NMOS管Mcl的源极与所述NMOS尾电流负载管Mdl的漏极相连。在第一级运算放大器采用具有低阻节点RC密勒补偿技术，将第一级差分小信号输出的电压变化处理至低阻点，并在该点做密勒补偿，与传统两级运算放大器的密勒补偿结构相比较，具有更大的运算放大器单位增益带宽。【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步的详细说明:图1为本专利技术的密勒补偿结构的运算放大器的一种实施例的电路原理图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明，使本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。如图1所示，本专利技术提供一种密勒补偿结构的运算放大器，包括:第一级放大器，用来接收待放大信号并进行第一级放大；电平位移电路，用以接收所述第一级放大器输出的信号并耦合输出；第二级放大器，接收所述电平位移电路输出的信号，进行第二级放大后输出被放大信号，其偏置状态受所述电平位移电路控制；其中，所述运算放大器还包括密勒补偿电路，所述密勒补偿电路为低阻节点RC电路，所述密勒补偿电路耦接于所述第一级放大器与所述第二级放大器之间，用来依据所述第二级放大器输出的放大信号产生补偿信号，并将该补偿信号反馈至所述第一级放大器的输出端。所述第一级放大器包括PMOS尾电流管Mtl、电路连接方式相同且结构对称的第一差分共源共栅输入电路105与第二差分共源共栅输入电路106、电路连接方式相同且结构对称的第一差分共源共栅负载电路107与第二差分共源共栅负载电路108，待放大信号通过第一差分共源共栅输入电路105与第二差分共源共栅输入电路106进入第一级放大器进行第一级放大，第一差分共源共栅负载电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密勒补偿结构的运算放大器，包括：?第一级放大器，用来接收待放大信号并进行第一级放大；?电平位移电路，用以接收所述第一级放大器输出的信号并耦合输出；?第二级放大器，接收所述电平位移电路输出的信号，进行第二级放大后输出被放大信号，其偏置状态受所述电平位移电路控制；?其特征在于，所述运算放大器还包括密勒补偿电路，所述密勒补偿电路为低阻节点RC电路，所述密勒补偿电路耦接于所述第一级放大器与所述第二级放大器之间，用来依据所述第二级放大器输出的放大信号产生补偿信号，并将该补偿信号反馈至所述第一级放大器的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种密勒补偿结构的运算放大器，包括: 第一级放大器，用来接收待放大信号并进行第一级放大； 电平位移电路，用以接收所述第一级放大器输出的信号并耦合输出； 第二级放大器，接收所述电平位移电路输出的信号，进行第二级放大后输出被放大信号，其偏置状态受所述电平位移电路控制； 其特征在于，所述运算放大器还包括密勒补偿电路，所述密勒补偿电路为低阻节点RC电路，所述密勒补偿电路耦接于所述第一级放大器与所述第二级放大器之间，用来依据所述第二级放大器输出的放大信号产生补偿信号，并将该补偿信号反馈至所述第一级放大器的输出端。2.根据权利要求1所述的密勒补偿结构的运算放大器，其特征在于，所述第一级放大器包括PMOS尾电流管Mtl、电路连接方式相同且结构对称的第一差分共源共栅输入电路(105)与第二差分共源共栅输入电路(106)、电路连接方式相同且结构对称的第一差分共源共栅负载电路(107)与第二差分共源共栅负载电路(108)，待放大信号通过第一差分共源共栅输入电路(105)与第二差分共源共栅输入电路(106)进入第一级放大器进行第一级放大，第一差分共源共栅负载电路(107)与第二差分共源共栅负载电路(108)用于与所述密勒补偿电路配合，以此对第二级放大器的输出进行补偿反馈。3.根据权利要求2所述的密勒补偿结构的运算放大器，其特征在于，所述电平位移电路包括电路连接方式相同且结构对称的第一电平位移电路(103)与第二电平位移电路(104)，经第一级放大器放大的信号输入给第一电平位移电路(103)与第二电平位移电路(104)。4.根据权利要求3所述的密勒补偿结构的运算放大器，其特征在于，所述第二级放大器为Class AB类放大器,包括电路连接方式相同且结构对称的第一 Class AB型推挽输出电路(109)和第二 Class AB型推挽输出电路(I 10)，第一 Class AB型推挽输出电路(109)和第二 Class AB型推挽输出电路(110)接收由电平位移电路偏置后输出的信号并输出被放大信号。5.根据权利要求4所述的密勒补偿结构的运算放大器，其特征在于，所述密勒补偿电路包括电路连接方式相同且结构对称第一密勒补偿电路(101)与第二密勒补偿电路(102)。6.根据权利要求5所述的密勒补偿结构的运算放大器，其特征在于，所述第一差分共源共栅输入电路(105)的输入端作为第一级放大器的输入端与第一输入端电连接,所述第一差分共源共栅输入电路(105)的输入端通过第一电平位移电路(103)与所述第一 ClassAB型推挽输出电路(109)电连接，所述第一密勒补偿电路(101)耦接于所述第一 Class AB型推挽输出电路(109)和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊晓华，
申请(专利权)人：南京中科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：