具有内建定位件的半导体组体，及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种具有内建定位件的半导体组体，以及其制造方法。根据本发明专利技术的一较佳实施态样，该方法包括：使用定位件作为半导体元件的配置导件，将半导体元件设置至介电层上；将加强层贴附于介电层；以及形成覆盖半导体元件、定位件、以及加强层的增层电路，以提供半导体元件的信号路由。据此，定位件可准确的限制半导体元件的设置位置，以避免半导体元件以及增层电路之间的电性连接失败。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种半导体组体以及其制造方法，尤指一种具有内建定位件的半导体组体，以及其制造方法。
技术介绍
电子装置的市场趋势是要求更薄、更智能、且更便宜的可携式电子设备，所述电子设备中所使用的半导体元件需更进一步的缩小其尺寸，并以较低的成本改善其电子性能。各种尝试的方法中，是以印刷电路板中嵌埋或内建半导体芯片以形成的模块被认为是最有效率的方法，其可大幅地降低整体的重量、厚度，以及经由内部连接距离的缩短以改善电子性能。然而，试图于电路板中嵌埋芯片会遭遇许多的问题，举例来说，被嵌埋的芯片会于使用胶于附着时以及密封/层压的程序时，因塑料材料的热性质而导致芯片垂直及侧向的位移。在各个热处理阶段的金属、介电质、以及硅之间的热膨胀系数(CTE)不匹配将可能导致设置于其上的增层连接结构的错位。Tanaka等人的美国专利案号7，935，893 ；Aral的美国专利案号7，944，039 ；以及Chang的美国专利案号7，405，103揭露了各种为了解决生产良率议题的对准方式，然而其所提出的方式皆无法提供一个用以控制芯片的位移的适当或有效的方法，其是由于芯片下的黏着剂于固化时回流，而因此使原本贴附的芯片于预定的设置位置错位，甚至于使用高度精准的对位标记以及设备时也会产生相同问题。Chino的美国专利申请号2010/0184256揭示了一种树脂密封方法，其以将半导体元件固定于支撑体上所形成的黏着层，此方法可有效的于密封程序时控制芯片免于移动，然而此方法并无提供任何对于芯片贴附程序的控制或调整，且用于贴附芯片的黏着剂的回流所造成芯片的错位是无法避免的。【专利技术内容】本专利技术是有鉴于以上的情形而发展，其目的在于提供一种半导体组体，其中该半导体元件是准确的固定于一预定的位置上，且通过导电盲孔，可稳固地维持半导体元件以及增层电路间的电性连接。在本专利技术的一较佳实施态样中，本专利技术提供了一种半导体组体的制造方法，其中，该半导体组体包括一半导体元件、一定位件、一加强层、以及增层电路。制造具有加强层的半导体组体的方法包括:于一介电层上形成一定位件，使用该定位件做为一半导体的配置导件，将该半导体元件设置于该介电层上，该半导体元件包括具有接触垫形成于其上的一主动面以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向，该非主动面面潮与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件是靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直垂直方向的侧面方向侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘射向延伸；将一加强层贴附于该介电层上，其包括将半导体元件以及该定位件对准于该加强层的一通孔中；以及形成一增层电路，其于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，以及包括一第一导电盲孔、该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的接触垫，以提供该半导体元件以及该增层电路间的电性连接。该半导体元件可被设置于该介电层上，该半导体元件的主动面是面朝该介电层，且该定位件自介电层朝该第二垂直方向延伸。或者，该半导体元件可被设置于该介电层上，该半导体元件的非主动面面朝该介电层，且该定位件自介电层朝该第一垂直方向延伸。在本专利技术的另ー较佳实施态样中，本专利技术提供了另ー种制造具有内建定位件的半导体组体的方法，该半导体组体包括一半导体元件、一定位件、一密封材料、以及ー增层电路。制造具有密封材料的半导体组体的方法包括:于一介电层上形成一定位件；使用该定位件作为一半导体元件的配置导件，将该半导体元件设置于该介电层上，该半导体元件包括具有接触垫形成于其上的一主动面以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向且贴附于该介电层、该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直该垂直方向的侧面方向侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸；沉积ー密封材料，其是于该第二垂直方向覆盖该半导体元件、该定位件、以及该介电层，且自该半导体元件以及该定位件侧向延伸至该组体的外围边缘；以及形成ー增层电路，其是朝该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，以及包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔延伸穿过该介电层且直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该增层电路间的电性连接。该增层电路可包括一第一绝缘层、一或多个第一盲孔、以及一或多个第一导线，举例来说，该第一绝缘层于该第一垂直方向覆盖该半导体元件、该定位件、以及该加强层或该密封材料，并且可延伸至组体的外围边缘，以及该第一导线自该第一绝缘层朝该第一垂直方向延伸。因此，所形成的增层电路的方法可包括:提供于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层或密封材料的一第一绝缘层；然后形成一或多个第一盲孔，其延伸穿过该第一绝缘层且对准该半导体元件的一或多个接触垫，或选择性地对准ー或多个额外的第一盲孔，额外的第一盲孔延伸穿过该第一绝缘层且对准该加强层；然后提供一或多个第一导线，自该第一绝缘层朝第一垂直方向延伸，并于该第一绝缘层上侧向延伸，且于该第二垂直方向延伸穿过该第一盲孔以及选择性的穿过额外的该第一盲孔，以形成一或多个第一导电盲孔，且该第一导电盲孔直接接触半导体元件的接触垫；并选择性地形成一或多个额外的该第一导电盲孔，其是直接接触加强层。据此，该第一导线可直接接触接触垫，以提供半导体元件的信号路由，从而该半导体元件以及该增层电路间的电性连接可不含焊料。该第一导线亦可直接接触该加强层，以作为接地或作为设置于其上的被动元件(如薄膜电阻或电容)的电性连接。于该半导体元件的主动面面朝该介电层的情况下，该增层电路的该第一绝缘层包括该介电层，且该第一盲孔是延伸穿过该介电层。若有额外的信号路由需求，该增层电路可进ー步的包括额外的绝缘层、额外的盲孔、以及额外的导线。举例来说，该增层电路可更进一歩包括一第二绝缘层、一或多个第二盲孔、以及一或多个第二导线。该第二绝缘层可自该第一绝缘层以及该第一导线朝该第一垂直方向延伸，且可延伸至该组体的外围边缘，且该第二导线可自该第二绝缘层朝该第一垂直方向延伸。因此，形成该增层电路的方法可更包括:于该第一绝缘层以及该第ー导线上提供一第二绝缘层，且该第二绝缘层自该第一绝缘层以及该第一导线朝该第一垂直方向延伸；然后形成一或多个第二盲孔，该第二盲孔延伸穿过该第二绝缘层，且对齐于该第一导线；然后形成一或多个第二导线，该第二导线是自该第二绝缘层朝该第一垂直方向延伸，并于该第二绝缘层上侧向延伸，且于该第二垂直方向延伸穿过该第二盲孔以形成一或多个第二导电盲孔，该第二导电盲孔是与该第一导线直接接触，从而电性连接该第一导线至该第二导线。该第一盲孔以及该第二盲孔可具有相同的大小，且该第一绝缘层、该第一导线、该第二绝缘层、以及该第二导线可具有平坦的延伸表面并面朝该第一垂直方向。该增层电路可包括一或多个内连接垫，以提供下一层级的组体或另一电子设备(如半导体芯片、塑料封装、或另一半导体组体)的电性连接。该内连接垫是于第一垂直方向延伸至该第一导线或延伸至该第一导线上，且包括面朝该第一垂直方向显露的接触面。举例来说，该内连接垫可邻接于该第二导线且与该第二导线一体成型。此外，该第一导线以及该第二导线可提供内连接垫以及该半导体元件的该接触垫间的电性连接。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造具有内建定位件的半导体组体的方法，包括：于一介电层上形成一定位件；使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，将该半导体元件设置于该介电层上，该半导体元件包括具有一接触垫形成于其上的一主动面以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向、该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸；将一加强层贴附于该介电层上，其包括将该半导体元件以及该定位件对准于该加强层的一通孔中；以及提供一增层电路，其于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，以及包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该增层电路间的电性连接。

【技术特征摘要】
2012.08.14 US 61/682,801;2013.01.03 US 13/733,2261.一种制造具有内建定位件的半导体组体的方法，包括: 于一介电层上形成一定位件； 使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，将该半导体元件设置于该介电层上，该半导体元件包括具有一接触垫形成于其上的一主动面以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向、该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸； 将ー加强层贴附于该介电层上，其包括将该半导体元件以及该定位件对准于该加强层的一通孔中；以及 提供ー增层电路，其于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，以及包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该增层电路间的电性连接。2.如权利要求1所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，该半导体元件以及该增层电路间的电性连接不含焊料。3.如权利要求1所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，于该介电层上形成该定位件的步骤包括: 提供包括一金属层以及该介电层的ー层压基材；然后 移除该金属层的选定部分以形成该定位件。4.如权利要求1所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，于该介电层上形成该定位件的步骤包括:· 提供包括一金属层以及该介电层的ー层压基材；然后 移除该金属层的选定部分以形成一凹陷部分；然后 沉积ー塑料材料于该凹陷部分的中；然后 移除该金属层的ー剰余部分。5.如权利要求1所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，将该半导体元件设置于该介电层上的步骤中，该半导体元件的该主动面是面朝该介电层，且该定位件自该介电层朝该第二垂直方向延伸。6.如权利要求5所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，是使用一黏着剂将该半导体元件贴附于该介电层上，该黏着剂接触该半导体元件以及该介电层，且介于该半导体元件以及该介电层之间。7.如权利要求6所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中该黏着剂接触该定位件且于该第一垂直方向与该定位件共平面，以及于该第二垂直方向低于该定位件。8.如权利要求5所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，形成该增层电路的步骤包括: 提供一第一绝缘层，其包括该介电层，且于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；然后形成一第一盲孔，其伸穿过该第一绝缘层，且对准于该半导体元件的该接触垫；然后形成一第一导线，其是自该第一绝缘层朝该第一垂直方向延伸，且于该第一绝缘层上侧向延伸，以及朝该第二垂直方向延伸穿过该第一盲孔，以形成该第一导电盲孔，且该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫。9.如权利要求8所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，形成该增层电路的步骤包括: 形成一额外的第一盲孔，其延伸穿过该第一绝缘层且对准于该加强层；然后 形成该第一导线，其朝该第二垂直方向延伸穿过该额外的第一盲孔，以形成一额外的第一导电盲孔，且该第一导电盲孔直接接触该加强层。10.如权利要求1所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，将该半导体元件设置于该介电层上的步骤中，该半导体元件的该非主动面是面朝该介电层，且该定位件自该介电层朝该第一垂直方向延伸。11.如权利要求10所述的制造具有内建定位件的半导体组体的方法，其中，是使用一黏着剂将该半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文强，王家忠，
申请(专利权)人：钰桥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：