用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法技术

本发明专利技术提供一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该光刻方法包括步骤：提供背面湿法腐蚀后的晶片；在所述晶片的背面上贴膜；将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。本发明专利技术的光刻方法简单、成本低，并且能有效提高该晶片的正面光刻的精确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造的光刻
，涉及。
技术介绍
晶片(wafer)是制造半导体芯片的衬底，其一般地包括背面和正面，半导体芯片的器件主要地在晶片的正面形成，因此，半导体工艺也主要是在晶片的正面上完成。但是，在某些特定半导体芯片的制造中，需要对晶片的背面减薄以形成薄片。现有技术中，晶片的背面减薄通常采用湿法腐蚀工艺完成，例如，SEZ公司提供的背硅湿法腐蚀设备，均采用湿法腐蚀完成晶片的减薄。这种背面湿法腐蚀的方法会使晶片的背面的变粗，也即降低晶片背面的平整度。一般地，背面湿法腐蚀后的晶片的背面的平整度一般在4微米左右。然而，背面湿法腐蚀后的晶片一般地还需要对晶片的正面完成某些工艺步骤，例如，光刻构图。在正面光刻的过程中，由于背面湿法腐蚀后的晶片的背面的平整度差，并且，晶片被减薄，背面湿法腐蚀后的晶片采用诸如真空吸附方式固定在光刻机设备的载片台上时，容易造成该晶片正面翘曲，无法或难以准确实现聚焦、曝光，从而难以完成光刻步骤，或者光刻构图的精确度差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，对背面湿法腐蚀减薄后的晶片的正面实现正常光刻。为实现以上目的或者其他目的，本专利技术提供一种，其包括步骤: 提供背面湿法腐蚀后的晶片； 在所述晶片的背面上贴膜； 将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及 在所述晶圆的正面上完成正面光刻。按照本专利技术一实施例的正面光刻方法，其中，所述固定步骤中，并采用真空吸附方式固定。按照本专利技术一实施例的正面光刻方法，其中，完成所述正面光刻步骤后，还包括: 揭去所述晶圆的背面的膜。优选地，所述膜的表面的平整度小于所述背面湿法腐蚀后的晶片的背面的平整度。优选地，所述膜的表面的平整度小于或等于I微米。优选地，贴附在所述晶圆背面上的膜为蓝膜。进一步，所述贴膜步骤在所述贴膜机上完成或者通过人工手工完成。优选地,所述晶片被减薄至250微米至400微米。本专利技术的技术效果是，通过在湿法腐蚀后的晶片的背面上贴膜，其平整度得到有效提高，有效地解决了光刻过程中由于晶片背面平整度差、晶片薄所导致的正面光刻难以完成的问题，方法简单，成本低，并且能有效提高该晶片的正面光刻的精确度。【附图说明】从结合附图的以下详细说明中，将会使本专利技术的上述和其他目的及优点更加完全清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。图1是按照本专利技术一实施例的流程示意图。图2至图5是对应于图1所示实施例的方法流程的晶片结构变化示意图。【具体实施方式】下面介绍的是本专利技术的多个可能实施例中的一些，旨在提供对本专利技术的基本了解，并不旨在确认本专利技术的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。容易理解，根据本专利技术的技术方案，在不变更本专利技术的实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的其他实现方式。因此，以下【具体实施方式】以及附图仅是对本专利技术的技术方案的示例性说明，而不应当视为本专利技术的全部或者视为对本专利技术技术方案的限定或限制。在本文中，晶片的正面定义为用于光刻构图并形成半导体器件的一面，与该正面向反的一面定义为晶片的背面。在本文描述中，使用方向性术语(例如“上”、“下”等)以及类似术语来描述各种结构实施例的附图中示出的方向或者能被本领域技术人员理解的方向。这些方向性术语用于相对的描述和澄清，而不是要将任何实施例的定向限定到具体的方向。图1所示为按照本专利技术一实施例的流程示意图；图2至图5所示为对应于图1所示实施例的方法流程的晶片结构变化示意图。以下结合图1至图5对本专利技术实施例的光刻方法进行说明。首先，步骤S10，提供背面湿法腐蚀后的晶片。如图2所示，100为背面被湿法腐蚀后的晶片，其厚度被腐蚀减薄以形成薄片，例如，在制备DMOS芯片时，需要对晶片背面减薄。如图示，110为晶片100的正面，其为欲光刻构图的一面，也即需要进行正面光刻；120为晶片100的背面，其被湿法腐蚀后表面平整度差，例如，其平整度在4微米以上。晶片100被腐蚀减薄以后，其厚度范围为250微米至400微米，例如300微米。进一步，步骤S20，在晶片的背面上贴膜。如图3所示，晶片100的背面120上被贴附一层膜200，膜200的表面平整度相对较好，因此，有利于提高晶片100的背面120的平整度，从而有利于其后光刻的固定。膜200的表面平整度选择小于晶片100的腐蚀后的背面的平整度，例如，膜200的表面平整度小于或等于I微米。膜200 —般地采用塑料材料形成，例如，其可以为蓝膜。贴膜过程中，具体地，可以采用半导体制造厂中所使用的贴膜机实现自动贴膜，当然，也可以通过人工手工完成。膜200可以但不限于为如图所示的单层膜结构，例如，在其他实例中，其还可以为复合膜结构。进一步，步骤S30，将晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上并采用真空吸附方式固定。在该实施例中，由于晶片的背面贴有一层膜200，大大提高了晶片背面的平整度，从而选择采用真空吸附方式固定在光刻机设备的载片台上时，该晶片正面翘曲大大减少，晶片100的正面能够满足光刻过程中的聚焦、曝光要求。需要理解是，本专利技术实施例中，仅以真空吸附方式固定作为示例性说明，但是本领域技术人员根据以上教导和启示，晶片背面由于平整度差导致固定不好、从而难以实现正面光刻的任何其他固定方式，本专利技术中均可以将其应用于光刻过程中(因为背面平整度通过贴膜得到提高)。进一步，步骤S40，在晶圆的正面上完成正面光刻。如图4晶圆100的正面上进行正面光刻构图。具体的光刻方法以及光刻工艺参数在本专利技术中不受限制，本领域技术人员可以选择应用各中光刻方法实现。进一步，步骤S50，揭去晶圆的背面的膜。如图5所示，晶片100的背面的膜200已经被揭去。至此，对晶片100的正面光刻过程基本完成。本领域技术人员，可以在如图5所示的晶片上进行其他光刻过程中的其他辅助步骤或者光刻之外的其他工艺步骤。该方法中，通过背面贴膜的方式有效地解决了光刻过程中由于晶片背面平整度差、晶片薄所导致的光刻难以完成的问题，方法简单，成本低，能有效提高该晶片的正面光刻的精确度。以上例子主要说明了本专利技术的对背面湿法腐蚀减薄后的晶片的正面进行光刻的方法。尽管只对其中一些本专利技术的实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员应当了解，本专利技术可以在不偏离其主旨与范围内以许多其他的形式实施。因此，所展示的例子与实施方式被视为示意性的而非限制性的，在不脱离如所附各权利要求所定义的本专利技术精神及范围的情况下，本专利技术可能涵盖各种的修改与替换。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法，其特征在于，包括步骤：提供背面湿法腐蚀后的晶片；在所述晶片的背面上贴膜；将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。

【技术特征摘要】
1.一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法，其特征在于，包括步骤: 提供背面湿法腐蚀后的晶片； 在所述晶片的背面上贴膜； 将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及 在所述晶圆的正面上完成正面光刻。2.如权利要求1所述的正面光刻方法，其特征在于，所述固定步骤中，并采用真空吸附方式固定。3.如权利要求1或2所述的正面光刻方法，其特征在于，完成所述正面光刻步骤后，还包括: 揭去所述晶圆的背面的膜。4.如权利要求1或2所述的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮强，张硕，王根毅，邓小社，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：