非易失性存储器的管理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种非易失性存储器的管理方法和装置。所述方法包括：在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页，根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据，将所述新的页数据写入所述轮换页中；在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页，当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页，读取所述有效页中的数据。本发明专利技术可以提高写数据的效率，提高NVM的寿命。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种非易失性存储器的管理方法和装置。所述方法包括：在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页，根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据，将所述新的页数据写入所述轮换页中；在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页，当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页，读取所述有效页中的数据。本专利技术可以提高写数据的效率，提高NVM的寿命。【专利说明】非易失性存储器的管理方法和装置
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种非易失性存储器的管理方法和装置。
技术介绍
在社会高速发展的今天，非易失性存储器(Nonvolatile memory,简称:NVM)的使用已经随处可见，并跟生活息息相关，常见的NVM有，电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,简称:EEPROM)和闪存(FlashMemory,简称:FLASH)。比如，公交、社保、银行、电力、身份识别等各个领域都用到的智能卡都广泛使用了 NVM。因此，保证NVM中数据高效安全存储就显得尤为重要。智能卡在工作过程中，如果发生断电或其他不可预知的错误，导致智能卡擦除或者写入数据过程异常终止，将会使写入数据不正确，这样就严重威胁数据完整性和安全性。因此需要有一种解决方案来完成数据的断电保护问题。当前，解决断电保护问题一般是采用备份区来完成，S卩，在存储区申请一块备份区，用户更新数据的流程如下:步骤1、写旧数据到备份区；步骤2、写备份区标识；步骤3、写新数据到原数据区；步骤4、写备份区清空标识。通过上述方法来完成数据安全写入，这样，可以保证数据要么就全部写对，要么就没有写数据，不会出现其他情况，从而保证了数据的完整性。但是利用这种方法，安全更新一次数据需要写4次，导致写数据的效率较低。而且，每更新一次数据就需要更新一次备份区，而备份区又是固定的，频繁的对固定区域的操作将大大减少NVM的寿命。
技术实现思路
本专利技术提供一种非易失性存储器的管理方法和装置，用以实现提高写数据的效率，提闻NVM的寿命。本专利技术提供一种非易失性存储器的管理方法，所述非易失性存储器包括一个以上区块，每个区块包括复数个页，每页包括数据区和控制信息区，所述控制信息区保存页地址、用于标识目标页地址为所述页地址的写操作的顺序的页标识、和校验码，所述方法包括；在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页，根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据，将所述新的页数据写入所述轮换页中；在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页，当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页，读取所述有效页中的数据。本专利技术还提供一种非易失性存储器的管理装置，所述非易失性存储器包括一个以上区块，每个区块包括复数个页，每页包括数据区和控制信息区，所述控制信息区保存页地址、用于标识目标页地址为所述页地址的写操作的顺序的页标识、和校验码，所述装置包括:第一查询模块，用于在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页；轮换页获取模块，与所述第一查询块连接，用于根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一页作为轮换页；新数据获取模块，与所述第一查询模块连接，用于根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据；数据写模块，用于将所述新的页数据写入所述轮换页中；第二查询模块，用于在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页；有效页获取模块，与所述第二查询模块连接，用于当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一页作为有效页；数据读模块，与所述有效页获取模块连接，用于读取所述有效页中的数据。在本专利技术实施例中，每更新一次数据只需要写一次NVM，只需要花费现有技术中1/4的时间，大大提高了写数据的效率。此外，每更新一次数据需要写一次轮换页，而轮换页是不固定的，所以在一定程度上增加了 NVM的寿命。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术NVM的管理方法实施例中NVM的结构示意图；图2为本专利技术非易失性存储器的管理方法实施例中读操作的流程示意图；图3为本专利技术非易失性存储器的管理方法实施例中写操作的流程示意图；图4为本专利技术NVM的管理装置实施例中进行写操作的装置的结构示意图；图5为本专利技术NVM的管理装置实施例中进行读操作的装置的结构示意图。【具体实施方式】下面结合说明书附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步的描述。NVM的管理方法实施例如图1所示，为本专利技术NVM的管理方法实施例中NVM的结构示意图，该NVM包括一个以上区块:区块1、区块2...区块n，n为大于或等于I的自然数，每个区块包括复数个页:页1、页2...页m和I个轮换页，m为大于或等于2的自然数，每页包括数据区和控制信息区，数据区保存数据，控制信息区保存页地址、页标识和校验码。其中，该页地址为逻辑页地址，页标识用于标识目标页地址为该页地址的写操作的顺序，校验码根据该页的数据计算得到。可选地，页标识可以采用顺序计数的方式标识写操作的顺序，这样的话，进行一次写操作，页标识加I。或者，页标识也可以采用循环计数的方式标识写操作的顺序，例如:页标识的长度为2比特，页标识的值可以有4种选择:00、01、10、11，循环计数方式为:OO — Ol — 10 — 11 — 00。当采用循环计数的方式时，不应出现无法判断操作顺序的情况，当无法判断操作顺序时，说明页标识的长度不够。如图2所示，为本专利技术非易失性存储器的管理方法实施例中读操作的流程示意图，可以包括如下步骤；步骤21、在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到该目标页地址对应的页，执行步骤22;其中，目标区块为目标页地址所在的区块。步骤22、判断该目标页地址对应的页的数量是否为两个，如果是，执行步骤23，否则执行步骤24。步骤23、当该目标页地址对应两个页时，根据该两个页的校验码和页标识从该两个页中选取一页作为有效页，执行步骤25 ；可选地，首先判断该两个页的校验码是否正确；当其中一页的校验码正确并且另外一页的校验码错误时，选取校验码正确的页作为有效页，校验码错误说明写该页时发生断电或者其他不可预知的情况导致该页的数据错误，校验码正确说明该页中的数据是正确的；当该两个页的校验码都正确时，根据该两个页的页标识选取最近操作的页作为有效页，有效页中存储的数据为最新数据，另外一个页中存储的数据为旧数据，换句话说，当两个页的数据都正确时，选择存储有最新数据的页作为有效页。步骤24、当该目标页地址对应一个页时，将该页作为有效页，执行步骤25 ；步骤25、读取该有效页中的数据。如图3所示，为本专利技术非易失性存储器的管理方法实施例中写操作的流程示意图，可以包括如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器的管理方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括一个以上区块，每个区块包括复数个页，每页包括数据区和控制信息区，所述控制信息区保存页地址、用于标识目标页地址为所述页地址的写操作的顺序的页标识、和校验码，所述方法包括；在根据目标页地址进行写操作时，查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页，根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据，将所述新的页数据写入所述轮换页中；在根据目标页地址进行读操作时，查询目标区块得到所述目标页地址对应的页，当所述目标页地址对应两个页时，根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页，读取所述有效页中的数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯强，王俊杰，孙马秋，
申请(专利权)人：北京昆腾微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：