The present invention relates to the use of novel compounds useful as organic semiconductor materials and to semiconductor devices containing said organic semiconductor material.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机半导体材料本专利技术涉及新型n-型有机半导体材料,和含有所述n-型有机半导体材料的半导体器件。已知有机半导体是通过施加电磁能或化学掺杂剂,电荷可以可逆地引入其内的材料。这些材料的导电性位于金属和绝缘体之间,横跨10-9至103Ω-1cm-1的宽范围。与常规的无机半导体一样,有机材料充当或者p-型或者n-型。在p-型半导体中,大多数载体是空穴,而在n-型中,大多数载体是电子。绝大多数现有技术集中在p-型有机半导体材料的设计,合成和结构-性能的关系上,其中包括低聚并苯,稠合的低聚噻吩,蒽二噻吩,咔唑,低聚苯和低聚芴,它们中的一些导致性能优于无定形硅的场效应晶体管。相反,n-型低聚物和聚合物半导体的开发落在了p-型材料之后。事实上,与p-型半导体相比,n-型半导体仍然没有被充分地开发,且性能不令人满意。然而,还要求拥有高的电子亲和力的有机半导体,因为对于有效的逻辑电路和有机太阳能电池来说,均要求p-和n-沟道材料。确实,n-型有机场效应晶体管被视为有机p-n结、双极晶体管和互补电路的关键组件,从而导致挠性、大面积和低成本的电子应用。在本领域中各种有机半导体被视为n-型有机半导体材料。在第一n-沟道材料当中,报道了芳族四羧酸酐及其二酰亚胺衍生物。在这一组材料当中,具有氟化侧链的芘四羧酸二酰亚胺显示出最多0.72cm2V-1s-1的迁移率,一旦暴露于空气下,它仅仅略微下降。可通过改变侧链长度,插入氧化基团和氟化程度,从而改变空气稳定性,填充粒度和沉积的薄膜的形貌以及电性能。然而,大多数芘的结构单元由于结构刚性和适中的溶解性导致不能容易地结构变化,从而限制可接近的材 ...
【技术保护点】
具有选自式(I),式(II),式(III)和式(IV)中的化学式的化合物:其中:R1,R2,R2“彼此独立地选自氢,C1?C40直链或支链烷基,C1?C40直链或支链杂烷基,C3?C40直链或支链环烷基,C1?C40直链或支链羟烷基,C1?C40直链或支链烷氧基,C1?C40直链或支链烷基羧基,C1?C40直链或支链烷基酰胺基,C1?C40直链或支链烷基磺酸基,和C1?C40直链或支链腈基;Ar选自单环芳基,多环芳基,单环杂芳基,和多环杂芳基;Ar“,Ar″彼此独立地选自单环芳基,多环芳基,单环杂芳基和多环杂芳基;n,r彼此独立地为整数1?50;且p是整数0?5;排除式A的化合物:其中R4选自C1?C4烷基;R5选自单环芳基和取代的单环芳基;和排除式B的化合物:其中R6选自异丙基,环丙基和叔丁基,R7选自苯基,2?氟苯基,3?氟苯基,4?氟苯基,2?氯苯基,3?氯苯基,4?氯苯基,2?甲基苯基,3?甲基苯基,4?甲基苯基,2?三氟甲基苯基,3?三氟甲基苯基,4?三氟甲基苯基,2?甲氧基苯基,3?甲氧基苯基,4?甲氧基苯基,2,4?二氯苯基,2,4,6?三甲基苯基,2?噻吩基,3?噻吩基 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.18 IT MI2011A0008811.具有选自式(I),式(II),式(III)和式(IV)中的化学式的化合物:其中:R1,R2彼此独立地选自C1-C12直链或支链烷基,C3-C12直链或支链环烷基,C1-C12直链或支链羟烷基,C1-C12直链或支链烷氧基,C1-C12直链或支链烷基羧基,C1-C12直链或支链烷基酰胺基,C1-C12直链或支链烷基磺酸基,和C1-C12直链或支链腈基,R2'选自氢,C1-C40直链或支链烷基,C3-C40直链或支链环烷基,C1-C40直链或支链羟烷基,C1-C40直链或支链烷氧基,C1-C40直链或支链烷基羧基,C1-C40直链或支链烷基酰胺基,C1-C40直链或支链烷基磺酸基,和C1-C40直链或支链腈基;Ar选自下述环(f),(g),(h),(i),(l),(m),(n),(o),(p):其中X选自S,O,Si,Se,NR3,R3选自C1-C12直链或支链烷基,C1-C12直链或支链的卤代烷基,C3-C12直链或支链环烷基,C1-C12直链或支链羟烷基,C1-C12直链或支链烷氧基,C1-C12直链或支链烷基羧基,C1-C12直链或支链烷基酰胺基,C1-C12直链或支链烷基磺酸基,和C1-C12直链或支链腈基;Ar'选自下述单元(a),(b),(c)中的单元:其中W选自S,SO和SO2;Y选自S,O,NR8;和R6,R7和R8彼此独立地选自氢,C1-C12直链或支链烷基,C1-C12直链或支链的卤代烷基,C3-C12直链或支链环烷基,C1-C12直链或支链羟烷基,C1-C12直链或支链烷氧基,C1-C12直链或支链烷基羧基,C1-C12直链或支链烷基酰胺基,C1-C12直链或支链烷基磺酸基,和C1-C12直链或支链腈基,Ar″是单环杂芳基;n,r彼此独立地为整数1-50;且p是整数0-5。2.权利要求1的化合物,其中当p为0时,n为2-50。3.权利要求1或2的化合物,它具有选自式(Ia),式(IIa),式(IIIa)和式(IVa)中的化学式:其中:R1,R2,Ar和Ar'按权利要求1定义。4.权利要求1的化合物,它具有下式(V):其中R4,R5彼此独立地选自C1-C8直链或支链的饱和烷基和C1-C8直链或支链的氟代烷基,且m是整数1-30。5.权利要求1或2的化合物,它具有式(VI):其中R4,R5彼此独立地选自C1-C8直链或支链的饱和烷基和C1-C8直链或支链的氟代烷基。6.权利要求1的化合物,它具有式(VII):其中R4,R5彼此独立地选自C1-C8直链或支链的饱和烷基和C1-C8直链或支链的氟代烷基。7.具有选自式(I),式(II),式(III)和式(IV)中的化学式的化合物在电子器件中作为有机半导体材料的用途:其中:R1,R2彼此独立地选自C1-C12直链或支链烷基,C3-C12直链或支链环烷基,C1-C12直链或支链羟烷基,C1-C12直链或支链烷氧基,C1-C12直链或支链烷基羧基,C1-C12直链或支链烷基酰胺基,C1-C12直链或支链烷基磺酸基,和C1-C12直链或支链腈基,R2'选自氢,C1-C40直链或支链烷基,C3-C40直链或支链环烷基,C1-C40直链或支链羟烷基,C1-C40直链或支链烷氧基,C1-C40直链或支链烷基羧基,C1-C4...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·梅鲁西,L·法瓦莱托,M·赞姆比安奇,R·卡佩里,M·穆西尼,
申请(专利权)人:ETC有限责任公司,
类型:
国别省市:
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