A leakage current prevention structure and a method of manufacturing the same are provided. For preventing leakage current structure includes: a substrate; a first III-V compound layer on the substrate; a second III-V compound layer on the first III-V compound layer; and the at least one second III-V compound semiconductor component layer; wherein the first III-V compound layer in contact with the second III-V compound layer, formed a high resistance layer to prevent leakage generated by the at least one semiconductor component of the flow to the substrate.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及防止漏电流技术,特别涉及一种。
技术介绍
图1是示出传统半导体组件100的剖面示意图,在硅(Si)基板11上形成有作为缓冲层的氮化镓(GaN)层12。接着,形成空间(spacer)层13用以形成晶体管或二极管等半导体组件。当操作图1所示的传统半导体组件时,空间层13所产生的电流会经由氮化镓(GaN)层12而流至硅基板11,从而造成漏电流现象,这会影响晶体管或二极管等组件的功率损耗以及操作效率。为了防止漏电流现象,一般会将氮化镓(GaN)层12或缓冲层的厚度提高,此厚度通常远比组件厚度大,但仍无法完全防止漏电流情况。鉴于漏电流是III族氮化物的一个重大问题,因此亟需提出一种新颖机制以避免或防止漏电流对于半导体组件的影响。
技术实现思路
鉴于上述,本专利技术实施例提出一种,可有效防止半导体组件的漏电流流至基板,因而得以有效改善操作效率、功率损耗、噪声以及可靠度等特性。根据本专利技术实施例,防止漏电流流结构包括基板、第一 II1-V族化合物层、第二II1-V族化合物层以及至少一半导体组件。其中,第一 II1-V族化合物层位于基板上,第二II1-V族化合物层位于第一 II1-V族化合物层上,且组件位于第二 II1-V族化合物层上。其中第一 II1-V族化合物层与第二 II1-V族化合物层接触,共同形成一高阻值层,以防止至少一半导体组件所产生的漏电流流至基板。一种防止漏电流结构的制造方法,包括:提供一基板;在所述基板上形成一第一II1-V族化合物层;在所述第一 II1-V族化合物层上形成一第二 II1-V族化合物层;以及在所述第二 II1-V ...
【技术保护点】
一种防止漏电流结构,包括:一基板;在所述基板上的一第一III?V族化合物层;在所述第一III?V族化合物层上的一第二III?V族化合物层;以及在所述第二III?V族化合物层上的至少一半导体组件;其中所述第一III?V族化合物层与所述第二III?V族化合物层接触,共同形成一高阻值层,以防止所述至少一半导体组件所产生的漏电流流至所述基板。
【技术特征摘要】
1.一种防止漏电流结构,包括: 一基板; 在所述基板上的一第一 II1-V族化合物层; 在所述第一 II1-V族化合物层上的一第二 II1-V族化合物层;以及 在所述第二 II1-V族化合物层上的至少一半导体组件; 其中所述第一 II1-V族化合物层与所述第二 II1-V族化合物层接触,共同形成一高阻值层,以防止所述至少一半导体组件所产生的漏电流流至所述基板。2.如权利要求1所述的防止漏电流结构,还包括形成在所述基板与所述第一II1-V族化合物层之间的一缓冲层。3.如权利要求2所述的防止漏电流结构,其中所述缓冲层由氮化镓构成。4.如权利要求1所述的防止漏电流结构,其中所述高阻值层的电阻值是一万欧姆以上。5.如权利要求1所述的防止漏电流结构,其中所述第一II1-V族化合物层包含氮化铟镓,且所述第二 II1-V族化合物层包含氮化铝。6.如权利要求1所述的防止漏电流结构,其中所述第一II1-V族化合物层的厚度小于或等于50纳米,且所述第二 II1-V族化合物层的厚度小于或等于100纳米。7.如权利要求1所述的防止漏 电流结构,其中所述至少一半导体组件是一晶体管或一二极管。8.如权利要求7所述的防止漏电流结构,其中所述晶体管是一NPN型双极性晶体管,包括: 在所述第二 II1-V族化合物层上的一第一 η掺杂层; 在所述第一 η掺杂层上的...
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