基于CMOS双时基芯片的大功率工业设备缓启动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于CMOS双时基芯片的大功率工业设备缓启动装置，包括CMOS双时基芯片IC、第一和第二变压器、双向可控硅、第一至第六电阻、第一至第三电容、第一和第二可变电阻、第一和第二开关、整流电路、稳压管和二极管。CMOS双时基芯片构成振荡器，双向可控硅是电子开关，第一可变电阻是电压初始值调节器，第二可变电阻是电压变化速率调节器。本实用新型专利技术采用CMOS双时基芯片为核心元件，再与外围少数的几个电子元件连接即可构成用于大功率工业设备的缓启动装置，本实用新型专利技术相对于现有技术具有电路结构简单、采用元件少、体积小、重量轻、成本低廉、便于安装，有利于推广。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于CMOS双时基芯片的大功率工业设备缓启动装置，其特征在于：包括CMOS双时基芯片、第一变压器、第二变压器、双向可控硅、第一电阻至第六电阻、第一电容至第四电容、第一可变电阻、第二可变电阻、第一开关、第二开关、整流电路、稳压管和二极管，交流电源的零线同时与所述第一变压器初级的第一端、所述第二变压器次级的第一端、所述双向可控硅的第一端和所述第六电阻的第一端连接，所述交流电源的火线与所述第一开关的第一端连接，所述第一开关的第二端同时与所述第一变压器初级的第二端和负载的第一端连接，所述负载的第二端同时与所述双向可控硅的第二端和所述第四电容的第一端连接，所述第四电容的第二端与所述第六电阻的第二端连接，所述双向可控硅的控制端与所述第二变压器次级的第二端连接，所述第二变压器初级的第一端同时与所述CMOS双时基芯片的负极电源输入端、所述第三电容的第一端、所述第二电容的第一端、所述第一电容的第一端、所述第二开关的第一端、所述稳压管的第一端和所述整流电路的负极输出端连接，所述第二变压器初级的第二端与所述CMOS双时基芯片的信号输出端连接，所述第三电容的第二端与所述CMOS双时基芯片的控制输入端连接，所述CMOS双时基芯片的触发端同时与所述CMOS双时基芯片的阀值端、所述第二电容的第二端和所述第五电阻的第一端连接，所述CMOS双时基芯片的放电端同时与所述第五电阻的第二端、所述第四电阻的第一端和所述第一可变电阻的第一端连接，所述CMOS双时基芯片的电源正极输入端同时与所述CMOS双时基芯片的复位端、所述二极管的正极、所述稳压管的负极和所述第二电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端同时与所述第三电阻的第一端和所述第一电容的第二端连接，所述第三电阻的第二端与所述第二可变电阻的第一端连接，所述第二可变电阻的第二端与所述第二开关的中心连接端连接，所述第二开关的第二端与所述二极管的负极连?接，所述第一可变电阻的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第二端和所述整流电阻的正极电源输出端连接，所述整流电路的两个输入端分别与所述第一变压器次级的两端连接。?...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹驰，
申请(专利权)人：邹驰，
类型：实用新型
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