本发明专利技术实施方式的磁性片（1）具备多个磁性薄带（2）和树脂薄膜部（3）的层叠体。层叠体具备在5～25张的范围内层叠的磁性薄带（2）。在磁性薄带上设置有具备1mm以下（包含0）的宽度的切口部。在设一个树脂薄膜部（3）上配置的磁性薄带（2）的外周区域的合计外周长为A、磁性薄带（2）上所设置的切口部的合计长度为B时，切口部的合计长度B相对于磁性薄带（2）的合计外周长A之比（B/A）为2以上25以下的范围。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术实施方式的磁性片（1）具备多个磁性薄带（2）和树脂薄膜部（3）的层叠体。层叠体具备在5～25张的范围内层叠的磁性薄带（2）。在磁性薄带上设置有具备1mm以下（包含0）的宽度的切口部。在设一个树脂薄膜部（3）上配置的磁性薄带（2）的外周区域的合计外周长为A、磁性薄带（2）上所设置的切口部的合计长度为B时，切口部的合计长度B相对于磁性薄带（2）的合计外周长A之比（B/A）为2以上25以下的范围。【专利说明】磁性片和使用其的非接触受电装置、电子设备及非接触充电装置
本专利技术的实施方式涉及磁性片和使用其的非接触受电装置、电子设备及非接触充电装置。
技术介绍
近年，便携式通信设备的发展显著，因此移动电话机的小型薄型化迅速发展。除了移动电话机以外，视频摄像机(手持摄像机等)、无绳电话机、膝上型个人计算机(笔记本电脑)等电子设备的小型薄型化也发展。在这些情况下，通过在电子设备主体中搭载二次电池，由此不与插座连接就能够使用，使携带性、便利性提高。在当前，二次电池的容量存在极限，必须每隔数日?数周进行I次充电。充电方法存在接触充电方式和非接触充电方式。接触充电方式为使受电装置的电极与供电装置的电极直接接触而进行充电的方式。接触充电方式由于其装置构造简单，因此被普遍使用。但是，随着近年的电子设备的小型薄型化，电子设备的重量变轻，受电装置的电极与供电装置的电极之间的接触压力不足，存在产生充电不良这种问题。并且，二次电池不耐热，为了防止电池的温度上升，而需要以不产生过放电、过充电的方式设计电路。根据这一点研究了非接触充电方式的应用。非接触充电方式是在受电装置和供电装置的双方设置线圈，利用电磁感应进行充电的方式。非接触充电方式不需要考虑电极彼此的接触压力，因此能够不被电极彼此的接触状态左右而稳定地供给充电电压。作为非接触充电装置的线圈，已知在铁氧体磁芯的周围卷绕线圈的构造、在将铁氧体粉、非晶体粉混合而成的树脂基板上安装线圈的构造等。然而，当将铁氧体较薄地加工时其变脆，因此具有耐冲击性较弱、由于设备的落下等而受电装置容易产生故障这种问题。并且，为了与设备的薄型化相对应地将受电部分薄型化，而研究了采用在基板上将金属粉糊料印刷为螺旋状而形成的平面线圈。然而，通过平面线圈的磁通与设备内部的基板等链接，因此存在由于通过电磁感应而产生的涡流而装置内发热这种问题。因此，不能够发送较大的电力，而充电时间会变长。具体地说，在移动电话机的充电中如果是接触充电装置则为90分钟左右，与此相对，通过非接触充电装置要花费120分钟左右。以往的应用了非接触充电方式的受电装置，对于通过电磁感应而产生的涡流的对策不充分。受电装置具备二次电池，因此要求极力抑制热的产生。受电装置安装于电子设备主体，因此热的产生对电路元件等产生负面影响。由于这些情况，在充电时不能够发送较大的电力，充电时间会变长。并且，涡流的产生导致噪声的产生，成为充电效率降低的重要因素。对于这一点，提出将磁性薄带设置在受电装置的规定位置。通过对磁性薄带的导磁率和板厚、或磁性薄带的饱和磁通密度和板厚进行控制，由此抑制涡流导致的发热、噪声产生、受电效率的降低等。提出有在非接触充电装置的供电侧配置磁体、并进行受电侧的设备的对位的非接触充电方式。例如，在国际标准的WPC (Wireless Power Consortium)中，在“SystemDescription Wireless Power Transfer volume I:Low Power Partl:interfaceDefinition versionl.0 July 2010”中记载有通过磁体进行定位的非接触充电装置。在通过磁体进行定位的情况下，在以往的磁性薄带中会磁饱和，磁屏蔽效果大幅度降低。因此，导致充电时的二次电池的温度上升，担心二次电池的循环寿命的降低。以往的磁屏蔽例如具有饱和磁通密度为0.55?2T (5.5?20kG)的磁性薄带，在I张或3张以下的范围内层叠这种磁性薄带。将磁性薄带的层叠体用作为磁屏蔽，通过从配置于供电装置的磁体产生的磁场，磁屏蔽容易产生磁饱和，可能不能够起到作为磁屏蔽的作用。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平11-265814号公报专利文献2:日本特开2000-23393号公报专利文献3:日本特开平9-190938号公报专利文献4:日本国际公开第2007/111019号小册子专利文献5:日本国际公开第2007/122788号小册子
技术实现思路
本专利技术要解决的课题为，提供一种磁性片和使用其的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置，在供电侧配置了磁体的非接触充电方式中，通过抑制由于电磁感应而在受电侧产生的涡流，能够抑制由涡流引起的二次电池的发热、充电效率的降低。实施方式的磁性片具备多个磁性薄带和树脂薄膜部的层叠体。层叠体具备在5?25张的范围内层叠的磁性薄带。在磁性薄带上设置有具有Imm以下(包含0)的宽度的切口部。在设一个树脂薄膜部上所配置的磁性薄带的外周区域的合计外周长为A、磁性薄带上所设置的切口部的合计长度为B时，切口部的合计长度B相对于磁性薄带的合计外周长A之比(B/A)为2以上25以下的范围。【专利附图】【附图说明】图1是表示实施方式的磁性片的截面图。图2是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第一例和磁性薄带的外周长A的测量例的平面图。图3是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的合计长度B的测量例的平面图。图4是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第二例的平面图。图5是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第三例的平面图。图6是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第四例的平面图。图7是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第五例的平面图。图8是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第六例的平面图。图9是表示实施方式的磁性片的磁性薄带的切口部的第七例的平面图。图10是表示第一实施方式的电子设备的概略结构的图。图11是表示第二实施方式的电子设备的概略结构的图。图12是表示实施方式的非接触充电装置的概略结构的图。【具体实施方式】以下，对实施方式的磁性片和使用其的非接触受电装置、电子设备以及非接触充电装置进行说明。本实施方式的磁性片具备多个磁性薄带和树脂薄膜部的层叠体。层叠体具备在5?25张的范围内层叠的磁性薄带。在磁性薄带上设置有具有Imm以下(包含O)的宽度的切口部。在设一个树脂薄膜部上所配置的磁性薄带的外周区域的合计外周长为A、磁性薄带上所设置的切口部的合计长度为B时，切口部的合计长度B相对于磁性薄带的合计外周长A之比(B/A)为2以上25以下的范围。图1是表示实施方式的磁性片的截面图。在图1中，I为磁性片，2为磁性薄带，3为树脂薄膜部。磁性薄带2与树脂薄膜部3层叠的构造，如图1所示那样，表示相对于磁性片I的厚度T层叠了多个磁性薄带2的构造。磁性薄带2相对于磁性片I的厚度T在5?25张的范围内层叠。在层叠数为4张以下的磁性薄带2中，通过在供电装置中配置的磁体不能够磁饱和而得不到屏蔽效果。当磁性薄带2的层叠数超过25张时，磁性片I的厚度T变厚而达到必要以上，因此有可能不能够搭载到受电装置或电子设备上。磁性片I的厚度T优选为0.1?Imm本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：泽孝雄，山田胜彦，齐藤忠雄，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：
国别省市：
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