功率单元级联式高压变频器的旁路电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种高可靠性，结构简单，低成本的针对功率单元级联式高压变频器的旁路电路；它包括旁路电路和控制电路，旁路电路采用共发射极双IGBT模块S5，共发射极双IGBT模块S5的两集电极PC1、PC2与功率单元的输出端并联，双IGBT的栅极G1和G2作为共用控制端G1/G2连接在一起（附图中未示出），控制电路与共发射极双IGBT模块的共用控制端G1/G2与共发射极端PE1/PE2连接。功率单元发生故障时，控制电路驱动共发射极双IGBT模块S5使其导通，使功率单元的输出端短路，以维持高压变频器的运行，防止其停机。由于旁路电路使用共发射极双IGBT模块作为旁路器件，不仅可承受很高的dv/dt值，和很短的导通时间，与对双IGBT分别进行驱动的方式相比可省去一组驱动电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种功率单元级联式高压变频器的旁路装置，包括旁路电路和驱动电路，所述旁路电路包括共发射极双IGBT模块（S5），该共发射极双IGBT模块（S5）由发射极互相连接在一起的两个IGBT（T1、T2）构成，两个集电极（PC1、PC2）分别并联在功率单元的输出端（L1、L2），两个IGBT（T1、T2）的集电极（PC1、PC2）和发射极（PE1、PE2）之间分别反向并联有续流二极管（D1、D2），两个IGBT（T1、T2）的栅极（G1、G2）互相连接在一起形成共用控制端（G1/G2），所述驱动电路的输出端分别与共发射极双IGBT模块（S5）的共用控制端（G1/G2）和发射极端（PE1/PE2）连接，在功率单元故障时，对应的所述驱动电路驱动共发射极双IGBT模块（S5）导通，将故障的功率单元的输出端（L1、L2）短路，以维持高压变频器的运行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秋泉，徐晓，
申请(专利权)人：北京合康亿盛变频科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：