本发明专利技术的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明专利技术的图案化的方法使用如下的蚀刻液，即作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本专利技术的图案化的方法使用如下的蚀刻液，即作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液。【专利说明】本申请是申请号为200780036318.3、专利技术名称为“”的分案申请。
本专利技术是关于导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子予以图案化的方法。
技术介绍
目前，透明导电膜虽然主要是使用含有铟(In)的ITO(氧化铟锡)，但是In(铟)是一种可采蕴藏量为三千吨的稀少元素，因此也有如果提前，则可采蕴藏量即将在2011年至2013年的时候被耗尽的预测，因此正在进行不使用In (铟)的ITO替代材料的研究。导电性高分子的导电率是已有惊人的改善，因此导电性高分子是有希望用作为ITO的替代材料。该导电性高分子是具有导电性、光的透射性、发光性、制膜后也呈可挠性的特征，因此已在进行对于透明导电膜、电解电容器、抗静电剂、电池、及有机EL组件等的应用的研究，且有一部分已付诸实用化。经使用比电解电容器的电解液的导电性为高且稳定性也高的导电性高分子时，即可制造频率特性获得改善，也具有优越的耐热性的电解电容器。通过将导电性高分子制膜在高分子薄膜的表面，可在仍然保持着透明性的状态下具有抗静电性，因此该等导电性高分子一向是被使用于使用方便性优良的抗静电膜或抗静电容器。导电性高分子可用作为二次电池的正极，因此被使用于锂聚苯胺电池或锂离子高分子电池等。又有一种将导电性高分子使用于发光层的高分子有机EL显示器，并且，基板并非为玻璃而使用塑料时，即可制得可挠性的显示器。另外，在空穴传输层也可使用导电性高分子。包括高分子有机EL显示器的有机EL显示器，由于其是属于自发光的显示器，视野角广阔、可容易薄型化、且具有优越的色的再现性。此外，由于其是属于通过空穴和电子的再结合的发光，因此响应速度快。有机EL显示器由于具有如上所述的优越特征，因此是一种将来有希望的显示器。并且，使用导电性高分子即可制得二极管或晶体管等的电子组件，因此正在进行提高性能的研究。又通过将导电性高分子替代白金而用作为色素增感型太阳电池的二氧化钛的对置电极，以开发一种比目前的主流的利用硅的太阳电池为更价廉的太阳电池为目标而正在进行研究。如上所述，导电性高分子对于将来的电子工业而言，是一种有益的材料，且其导电性高分子的图案化(patterning)方法是在使用导电性高分子时的重要的技术。将导电性高分子予以图案化的方法则有若干种类。首先，有一种使用喷墨等的印刷法的图案化(参阅例如，专利技术专利文献I)。印刷法虽然因为其是与图案化的同时也达成制膜，因此生产制程简便，但是却必须将导电性高分子予以油墨化。然而，导电性高分子是容易凝集以致不易将其油墨化。并且，也存在着印刷后的防止扩散、或油墨经干燥后液滴周边部会比中心部为厚的问题。与此相对，被广泛使用于图案化的照相蚀刻方法，由于其是先制膜成均匀的膜后才实施图案化，因此具有可采用简单的制膜方法的优点。关于将导电性高分子以蚀刻予以图案化的方法，则已揭示于例如专利技术专利文献2及专利技术专利文献3。然而，在专利技术专利文献2中，有关使用于导电性高分子的蚀刻的蚀刻液，却并未叙述。在专利技术专利文献3中，则揭示针对作为导电性高分子的聚吡咯(PPy:polypyrrole),使用次氯酸盐或(NH4)2Ce (SO4) 3等来予以蚀刻的方法。其所使用的次氯酸盐是市售的漂白剂(Clorox(商品名)漂白剂(bleach))，其水溶液呈碱性，因此，却有会对在蚀刻上是不可或缺的抗蚀剂造成损伤的问题。另外，也有揭示使用(NH4)2Ce(SO4)3的实施例。此外，在专利技术专利文献3则揭示一种通过不加以蚀刻而在未为抗蚀剂所覆盖的部分使用药液(例如氢氧化四甲基铵(TMAH:tetramethylammonium hydroxide)、或NH4OH)接触以增加电阻，或使用其它的药液(例如HC1、HN03、HC104、及H2SO4)接触以减少电阻来予以图案化的方法。然而，此种增减电阻来予以图案化的方法，是绝缘不足够，且非为现实的方法。尤其是对于有机EL显示器等的显示器用途而言，组件的间的绝缘性是重要因素。专利文献1:日本特开第2005-109435号公报专利文献2:日本特开平第5-335718号公报专利文献3:世界专利技术专利第97/18944号小册子
技术实现思路
本专利技术所欲解决的技术问题，是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本专利技术的专利技术人等为克服如上所述的
技术介绍
的问题而经专心研讨结果发现:通过如下所述的第〈1>及〈13>项即可达成如上所述的技术问题而终于达成本专利技术。优选实施方式的第〈2>至〈12>项也在此叙述:<1> 一种导电性高分子用蚀刻液，其特征在于，选自如下组成的下列蚀刻液组:(I)含有超过0.5重量％且70重量％以下的(NH4)2Ce (NO3)6或者0.5重量％以上且30重量％以下的Ce (SO4) 2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％且30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51 X硝酸浓度)的值为35重量％以下，并且(盐酸浓度+0.5X硝酸浓度)的值为30重量％以上的、含有亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上且40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上且40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上且20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上且30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。〈2>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所述(I)的蚀刻液含有(NH4)2Ce (NO3)6，并且含有超过0.1重量％且70重量％以下的硝酸。〈3>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所述(I)的蚀刻液含有(NH4)2Ce (NO3) 6，并且含有超过0.1重量％且60重量％以下的HC104。〈4>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所述(I)的蚀刻液含有Ce (SO4)2，并且含有超过0.1重量％且70重量％以下的硝酸。〈5>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所述(I)的蚀刻液含有Ce (SO4)2，并且含有超过0.1重量％且40重量％以下的硫酸。<6>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所述(2)的蚀刻液含有超过I重量％且40重量％以下的硫酸。〈7>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所述(3)的蚀刻液中，所述次氯酸盐水溶液是次氯酸碱金属盐水溶液。<8>如第〈1>项所述的导电性高分子用蚀刻液，其中，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种将导电性高分子予以图案化的方法，其中使用以下的蚀刻液，即有效氯浓度为0.06重量％以上并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：井原孝，藤本孝弘，
申请(专利权)人：东亚合成株式会社，
类型：发明
国别省市：
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