多级半导体低温差发电装置制造方法及图纸

技术编号:9423613 阅读:167 留言:0更新日期:2013-12-06 06:03
多级半导体低温差发电装置,包括壳体、至少一个发电层,所述的发电层安装在所述的壳体内,所述的发电层由交替排列的P型半导体和N型半导体组成,每个所述的P型半导体的电偶臂与相邻的所述的N型半导体的电偶臂串联后缠绕成发电层,相邻的所述的发电层之间相互串联,并且所述的发电层的剩余的连接端作为发电装置的电压输出端口分别连接在用电器的两端。本实用新型专利技术的有益效果是:(1)将半导体分布成圆盘状能更好地利用两个面的温度差,能使每一个半导体受热均匀;(2)适于低温差和较高温差的热能利用,保证利用能源的高效性;(3)保证整体的工艺和产品的可靠性;(4)能更好地嵌入到生活日用品中,如利用马克杯底部与桌面的温差进行发电。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
多级半导体低温差发电装置,其特征在于:包括壳体、至少一个发电层,所述的发电层安装在所述的壳体内,所述的发电层由交替排列的P型半导体和N型半导体组成,每个所述的P型半导体的电偶臂与相邻的所述的N型半导体的电偶臂串联后缠绕成发电层,相邻的所述的发电层之间相互串联,并且所述的发电层的剩余的连接端作为发电装置的电压输出端口分别连接在用电器的两端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨海清戴玮辰
申请(专利权)人:浙江工业大学
类型:实用新型
国别省市:

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