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单片集成高隔离度低损耗声表面波窄带滤波器组制造技术

技术编号:9396249 阅读:185 留言:0更新日期:2013-11-28 07:43
本实用新型专利技术提供一种单片集成高隔离度低损耗声表面波窄带滤波器组,包括石英压电单晶基片,还包括在所述石英压电单晶基片上并列集成的多个声表面波窄带滤波器,每个声表面波窄带滤波器包括上通道叉指换能器、下通道叉指换能器、分列于上、下通道叉指换能器一侧的复合结构的上下通道耦合器以及分列于上、下通道叉指换能器另一侧构成分布式耦合谐振腔的金属指反射阵列、一个输入信号电极、一个输出信号电极和两个接地的地电极,相邻声表面波窄带滤波器间设有接地的且与地电极连接的金属隔离电极。本实用新型专利技术结构紧凑,体积小,可实现较多的滤波信道数,各滤波信道间隔离度高,抗干扰能力强。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单片集成高隔离度低损耗声表面波窄带滤波器组,包括石英压电单晶基片和其上的两通道横向耦合谐振声表面波滤波器金属图形结构,其特征在于:所述石英压电单晶基片上并列集成多个声表面波窄带滤波器,每个声表面波窄带滤波器包括上通道叉指换能器、下通道叉指换能器、分列于上、下通道叉指换能器一侧的复合结构的上下通道耦合器以及分列于上、下通道叉指换能器另一侧构成分布式耦合谐振腔的金属指反射阵列、一个输入信号电极、一个输出信号电极和两个接地的地电极,相邻声表面波窄带滤波器间设有接地的且与地电极连接的金属隔离电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵成陈磊胡经国
申请(专利权)人:扬州大学
类型:实用新型
国别省市:

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