一种片上系统NANDFlash程序引导方法与装置制造方法及图纸

技术编号:9381712 阅读:147 留言:0更新日期:2013-11-28 00:06
本发明专利技术提出了一种适用于片上系统(SOC)NANDFlash程序引导方法与装置。所属技术领域为采用MLC类型的NANDFlash。这种NANDFlash程序引导方法与装置利用引导区一般较小而NANDFlash存储器总容量都较大的特点,通过对NANDFlash的引导区页面结构进行重定义和ECC数据长度切割分段进行纠错来实现对引导区数据的加强保护,确保SOC系统引导与启动的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种片上系统NANDFlash程序引导方法与装置,其特征在于:第一步重新定义NANDFlash存储器的引导区的页面结构,调整一个页面的DATA空间和SPARE空间来实现对引导区的加强保护。DATA空间可以根据软件配置,使得SPARE空间足够大,对于引导区的数据,就可以使用更高纠错能力的ECC来对引导区的数据进行加强保护。第二步对ECC数据长度切割分段处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林锦麟李兴仁刘春晖石亚飞
申请(专利权)人:上海盈方微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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