【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低噪声放大器，采用共源共栅结构，其特征在于，所述低噪声放大器中包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄清华，王宇晨，陈高鹏，
申请(专利权)人：锐迪科创微电子北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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