一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器制造技术

一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器。通过提供一种简单、可靠的用于抽真空充灌充液及传递压力的高低压腔路径的实现方法，特别是低压侧压力通过传压焊接块与高压基座、低压基座及过载保护膜片的整体焊接，实现了低压侧压力跨越过载保护膜片左右两侧的传压功能，从而使低压侧压力能最终到达硅压力敏感芯片的负压侧，做到了隔离膜片、灌充液、过载保护膜片及基座的连动作用，使较大的单向过载压力仅能作用于传感器基座之上，并不能传递作用于硅压力敏感芯片之上，从而使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护功能，并提高了硅差压传感器的性能。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种带单向压力过载保护功能的硅差压传感器，有用于抽真空充灌充液及传递压力的高压腔路径和低压腔路径，其特征是：高压腔路径由高压基座(1)、高压侧隔离膜片(3)、高压侧灌充液(5)、过载保护膜片(7)、芯片管座(8)及硅压力敏感芯片(9)构成，高压侧灌充液(5)位于高压腔路径之中，低压腔路径由低压基座(2)、低压侧隔离膜片(4)、低压侧灌充液(6)、过载保护膜片(7)、传压焊接块(12)、芯片管座(8)及硅压力敏感芯片(9)构成，低压侧灌充液(6)位于低压腔路径之中，高低压侧的隔离膜片、高低压侧的灌充液、过载保护膜片及高低压基座的连动作用，实现了硅差压传感器的单向压力过载保护。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁怀喜，
申请(专利权)人：梁怀喜，
类型：实用新型
国别省市：