GaN基光耦合器制造技术

技术编号:9336849 阅读:158 留言:0更新日期:2013-11-13 17:32
本发明专利技术涉及GaN基光耦合器。光耦合器包括设置在衬底上的GaN基光传感器和设置在与GaN基光传感器相同衬底上的GaN基光源。透明材料被插入在GaN基光传感器和GaN基光源之间。透明材料在GaN基光传感器和GaN基光源之间提供电流隔离并且形成光通道。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光耦合器,包括:设置在衬底上的GaN基光传感器;设置在与所述GaN基光传感器相同的衬底上的GaN基光源;和插入在GaN基光传感器和GaN基光源之间的透明材料,该透明材料在GaN基光传感器和GaN基光源之间提供电流隔离并且形成光通道。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:G波佐维沃J兰格拉克
申请(专利权)人:英飞凌科技奥地利有限公司
类型:发明
国别省市:

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