能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，包括如下步骤：第一步，进行版图设计；第二步，对工艺条件进行优化，确定发射极窗口的目标尺寸；第三步，基于优化的工艺条件，在平坦片上，通过测试掩膜板上的特征图形完成OPC数据收集；第四步，基于优化的工艺条件，在具有不同图形密度和台阶差的图形片上，通过测试掩膜板上的特征图形进行OPC数据的收集和修正。本发明专利技术通过对具有不同前层图形密度和台阶差的衬底上的发射极图形进行rule?base修正，能够明显改善曝光后关键尺寸的均匀性，明显提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种能够改善发射极窗口尺寸均匀性的SiGe器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，进行版图设计；第二步，对工艺条件进行优化，确定发射极窗口的目标尺寸；第三步，基于优化的工艺条件，在平坦片上，通过测试掩膜板上的特征图形完成OPC数据收集；第四步，基于优化的工艺条件，在具有不同图形密度和台阶差的图形片上，通过测试掩膜板上的特征图形进行OPC数据的收集和修正；第五步，将第三步收集到的OPC数据和第四步所得到的OPC修正数据整理后，通过OPC软件，完成建模或规则化程序调配；第六步，将芯片的版图设计数据导入，运行已调配好的OPC程序，结果输出到光罩厂；第七步，光罩厂制版。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏波，陈福成，刘尧，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：