一种用于开关电源或LED驱动芯片的栅驱动电路制造技术

技术编号:9330443 阅读:115 留言:0更新日期:2013-11-08 02:52
本实用新型专利技术公开了一种用于开关电源或LED驱动芯片的栅驱动电路,包括高压电源、电平移位模块、非门和两个NMOS管,栅驱动电路还包括比较器、电子开关和PMOS管,比较器的正极信号输入端和PMOS管的漏极均与高压电源的正极连接,比较器的负极信号输入端输入参考电压,比较器的输出端与电子开关的控制端连接,电子开关的两端分别与PMOS管的栅极和电平移位模块的输出端连接,PMOS管的源极与第一NMOS管的源极连接。本实用新型专利技术所述栅驱动电路中,当高压电源的电压较低时,栅驱动电路的输出电压更接近高压电源为高电压时对应的输出电压,从而使栅驱动电路的输出电压受高压电源的影响更小,有效避免了外置MOS管的半开启问题。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于开关电源或LED驱动芯片的栅驱动电路,包括高压电源、电平移位模块、非门和两个NMOS管,所述电平移位模块的输入端输入低压数字信号,所述电平移位模块的输出端分别与所述非门的输入端和第二NMOS管的栅极连接,所述非门的输出端与第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的漏极和所述电平移位模块的高压电源输入端均与所述高压电源的正极连接,所述第二NMOS管的源极与所述高压电源的负极连接,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极相互连接并作为所述栅驱动电路的高压驱动信号输出端;其特征在于:还包括比较器、电子开关和PMOS管,所述比较器的正极信号输入端和所述PMOS管的漏极均与所述高压电源的正极连接,所述比较器的负极信号输入端输入参考电压,所述比较器的输出端与所述电子开关的控制端连接,所述电子开关的两端分别与所述PMOS管的栅极和所述电平移位模块的输出端连接,所述PMOS管的源极与所述第一NMOS管的源极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周文质
申请(专利权)人:成都星芯微电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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