一种非制冷红外探测器塔式桥墩制造技术

本实用新型专利技术涉及一种非制冷红外探测器塔式桥墩，包括ASIC电路，所述ASIC电路上设置有聚酰亚胺牺牲层（3）和电极块（2），聚酰亚胺牺牲层（3）上有蚀刻支撑孔（4-1）；蚀刻支撑孔（4-1）所在的圆片上有溅射金属层（4）；牺牲层（3）上设置有聚酰亚胺牺牲层（5），聚酰亚胺牺牲层（5）上有蚀刻支撑孔（6-1）；蚀刻支撑孔（6-1）所在的圆片上有溅射金属层（6）；金属层（6）上有支撑层（7），支撑层（7）上有热敏层（8），热敏层（8）上有介质层（9），介质层（9）上接触孔（11）；支撑孔内金属层(6)上有通孔（10）；通孔（10）和接触孔（11）上有电极金属（12），电极金属层（12）后沉积有钝化层（13），最后进行牺牲层结构释放。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非制冷红外探测器塔式桥墩，包括ASIC电路，其特征在于，所述ASIC电路上设置有聚酰亚胺牺牲层（3）和电极块（2），牺牲层（3）上有蚀刻支撑孔（4?1）；蚀刻支撑孔（4?1）所在的圆片上有溅射金属层（4）；?牺牲层（3）上设置有聚酰亚胺牺牲层（5），聚酰亚胺牺牲层（5）上有蚀刻支撑孔（6?1）；蚀刻支撑孔（6?1）所在的圆片上有溅射金属层（6）；?金属层（6）上有支撑层（7），支撑层（7）上有热敏层（8），热敏层（8）上有介质层（9），介质层（9）上有通孔（10）和接触孔（11）；?在通孔（10）和接触孔（11）有电极金属（12），电极金属（12）后沉积有钝化层（13）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甘先锋，王宏臣，杨水长，孙瑞山，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：