【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；第一导线，设置在所述衬底上方，其中，所述第一导线位于第一互连层中并沿着第一方向延伸；第二导线和第三导线，所述第二导线和所述第三导线中的每一条均沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述第二导线和所述第三导线位于不同于所述第一互连层的第二互连层中，并且所述第二导线和所述第三导线通过位于所述第一导线上方或下方的间隙分开；以及第四导线，将所述第二导线和所述第三导线电连接到一起，所述第四导线位于不同于所述第一互连层和所述第二互连层的第三互连层中。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐于博，张世明，谢艮轩，刘如淦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。