高导高损NiCuZn铁氧体材料、磁片及制备方法技术

高导高损NiCuZn铁氧体材料、磁片及制备方法，涉及电子材料技术。本发明专利技术的铁氧体材料包括主成分和掺杂成分，其特征在于，主成分配方和掺杂成分皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主成分配方为：Fe2O350mol%～52mol%，ZnO18mol%～29mol%，NiO18mol%～28mol%，CuO2.5mol%～6mol%；以质量百分比计算，掺杂成分为：Co2O30～0.6wt%。本发明专利技术通过工艺简单、无污染且适于大批量生产的氧化物烧结工艺制备了具有高磁导率、高损耗的铁氧体材料、铁氧体磁片。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
高导高损NiCuZn铁氧体材料，包括主成分和掺杂成分，其特征在于，主成分配方和掺杂成分皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主成分配方为：以质量百分比计算，掺杂成分为：Co2O3????0～0.6wt%。FDA00003423161000011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁迪飞，杨宏伟，张先智，张楠，陈良，谢建良，邓龙江，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：