一种多晶硅二极管静电保护结构制造技术

本发明专利技术公开一种多晶硅二极管静电保护结构，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括，P-多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P-多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位；所述多晶硅二极管其一侧P+扩散区通过金属线接所述N+/P阱二极管的N+扩散区，其另一侧P+扩散区通过金属线接输入/出端口，其N+扩散区通过金属线并联后接到电源电位。本发明专利技术的多晶硅二极管的静电保护结构，在不影响静电保护能力的条件下，相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅二极管静电保护结构，其特征是，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括，P?多晶硅衬底中形成有多个不相邻的N+扩散区，P?多晶硅衬底的两侧形成有P+扩散区；所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位；所述多晶硅二极管其一侧P+扩散区通过金属线接所述N+/P阱二极管的N+扩散区，其另一侧P+扩散区通过金属线接输入/出端口，其N+扩散区通过金属线并联后接到电源电位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王邦麟，苏庆，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：