一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法技术

技术编号:9293311 阅读:186 留言:0更新日期:2013-10-30 22:52
本发明专利技术提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法,包括,将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面;将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上,使所述连接件可靠固定于所述籽晶托,并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。本发明专利技术可以确保籽晶与籽晶托之间实现可靠的粘结固定,并且避免在籽晶背面涂刷粘结剂导致的不良影响,同时,籽晶中心大部分区域与籽晶托紧密接触,温度梯度分布均匀,有利于SiC晶体的均匀生长,进一步提高SiC晶体的质量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法,其特征在于包括,将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面;将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上,使所述连接件可靠固定于所述籽晶托,并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孔海宽忻隽陈建军严成锋刘熙肖兵杨建华施尔畏
申请(专利权)人:上海硅酸盐研究所中试基地中国科学院上海硅酸盐研究所
类型:发明
国别省市:

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