应变平衡的激光二极管制造技术

根据本公开的概念，预计一些激光二极管波导配置，其中在激光器的波导层中的Al的使用是以包含光约束阱(22；InGaN)以及应变补偿势垒(24；Al(In)GaN)的InGaN/Al(In)GaN波导上层结构的形式出现的。选择光约束阱（22）的成分，以使它们即便在存在Al(In)GaN应变补偿势垒（24）时也提供很强的光约束但不吸收激光发射。选择应变补偿势垒（24）的成分，以使Al(In)GaN表现出拉伸应变，该拉伸应变补偿了InGaN光约束阱（22）的压缩应变但不妨碍光约束。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·巴特，D·S·兹佐夫，CE·扎，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：
国别省市：