【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，包括：基板；第一态掺杂半导体层，配置在该基板上，包括基底部与平台部，该基底部具有上表面，且该平台部配置在该基底部的上表面上；发光层，配置在该第一态掺杂半导体层上；第二态掺杂半导体层，配置在该发光层上；以及光学微结构层，嵌埋在该第一态掺杂半导体层中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜升翰，许国君，蔡胜杰，廖冠咏，李允立，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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